BC-MOS
typ tranzystora MOS
BC-MOS (Buried Channel Metal Oxide Semiconductor) – typ tranzystora MOS. Jest to tranzystor polowy z kanałem zagrzebanym, gdzie pod warstwą izolatora (bramką) znajduje się zaimplantowany kanał. Kanał tranzystora BC-MOS może znajdować się w jednym ze stanów:
- w zakresie NIENASYCENIA:
- zubożenie przy powierzchni
- akumulacja przy powierzchni
- częściowe zubożenie/częściowa akumulacja przy powierzchni
- w zakresie NASYCENIA:
- zubożenie przy powierzchni
- częściowe zubożenie/częściowa akumulacja przy powierzchni.