Pamięć zmiennofazowa

Pamięć zmiennofazowa, PCM (od ang. phase-change memory), PRAM^[a], PCRAM (od ang. phase-change RAM) – typ pamięci nieulotnej opartej na nośniku krystalicznym (tzw. owoniku).

Wykorzystano w niej zjawisko zmiany fazy punktów nośnika z krystalicznej na amorficzną (i odwrotnie) za pomocą podgrzewania impulsami elektrycznymi. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji nośnika (jest ona inna dla różnych faz). Nośnikiem jest stop tellurku antymonu i tellurku galu, podobny do stosowanego w płytach CD-RW.

Zalety:

możliwość zapisu w jednej komórce więcej niż jednego bitu informacji
stosunkowo duża szybkość zapisu i odczytu – około 300 ns
stosunkowo duża trwałość – 10¹² cykli
długi czas przechowywania informacji
stosunkowo prosta produkcja przy zastosowaniu istniejącego sprzętu
bezpośrednia zamienność z pamięciami flash

Wady:

na obecnym etapie wysoki koszt produkcji
wysokie temperatury występujące podczas zapisu mogą pogorszyć niezawodność w rzeczywistych układach
ciągle zbyt mała prędkość zapisu i trwałość do zastosowań w miejsce obecnych pamięci RAM

Autorem koncepcji i prototypów pamięci zmiennofazowej jest firma Ovonyx, stąd nazywana ona była ovonic unified memory (OUM). Obecnie rozwojem tego rodzaju pamięci zajmuje się firma Intel.

Uwagi edytuj

↑ Jest to także skrótowiec od parameter RAM (parametryczna pamięć o dostępie swobodnym).

[1] Jest to także skrótowiec od parameter RAM (parametryczna pamięć o dostępie swobodnym).

[a]