Elektronolitografia: Różnice pomiędzy wersjami

 

 

Ograniczeniem rozdzielczości elektronolitografii są przekrój wiązki elektronowej, rozpraszanie elektronów w podłożu i rezyście oraz wtórne odbicie od warstw rezystu. W zderzeniach generowane są również wtórne [[elektron]]y, które penetrują materiał daleko poza naświetlanym obszarem. Ekspozycji towarzyszy również silne rozpraszanie energii mogące częściowo rozkładać rezyst. Problemy te ujawniają się szczególnie przy produkcji struktur periodycznych i naświetlaniu blisko leżących elementów, Wtedy to sumują się bocznie rozproszone elektrony mogące powodować wywołanie rezystu w niechcianych obszarach. Jednym z rozwiązań jest stosowanie elektronów o niskiej energii, jednak wtedy pojawiają się problemy z silnym odpychaniem Coulombowskim elektronów i [[kolimacja|kolimacją]] wiązki. Użycie wysokoenergetycznych, głęboko penetrujących elektronów powoduje z kolei znaczne wydłużenie czasów naświetlania. Poważnym ograniczeniem elektronolitografii jest jej szybkość ograniczona prędkością skanowania wiązki. Choć powszechnie stosuje się ją w [[laboratorium|laboratoriach]] badawczych w przemyśle elektronicznym wciąż bezkonkurencyjna pod względem szybkości (100 razy szybsza) jest [[fotolitografia]]. Ważnym zastosowaniem elektronolitografii jest produkcja masek wykorzystywanych w fotolitografii.

 

*Fragment pracy zaliczeniowej „Procesy litograficzne na podłożu półprzewodnikowym” Paweł Majewski wklejony przez autora;

*Wykład dr Andrzeja Kowalika w [[Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych|Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych]];

[[ja:電子線描画装置]]

[[vi:Quang khắc chùm điện tử]]