Fotomaska: Różnice pomiędzy wersjami

Dodane 1100 bajtów ,  6 lat temu
brak opisu edycji
m (Ciacho5 przeniósł stronę Fotomaska na Wikipedysta:Sei/Fotomaska, bez pozostawienia przekierowania pod starym tytułem: artykuł należy dopracować)
Fotomaska jest płytą na której znajdują się obszary nieprzezroczyste i przezroczyste (tzw. okna). Fotomaski są wykorzystywane w fotolitografii do naświetlania określonych wzorów w [[fotorezyst|fotorezyście]]. Kiedyś dość powszechne były fotomaski emulsyjne, ale obecnie zostały zmarginalizowane przez fotmaski chromowe - płyty szklane lub kwarcowe pokryte warstwą chromu. Tego typu maski wykonuje się zwykle z podłoży w całości pokrytych chromem, który jest potem usuwany z wybranych obszarów przez wzór z rezystu. Krytycznym etapem jest wykonanie wzoru z rezystu przy czym stosuje się głównie rezysty światłoczułe ([[fotorezyst]]y) lub elektronoczułe. Zależnie od rodzaju rezystu naświetlanie wykonuje się za pomocą:
Fotomaska służy do selektywnego naświetlania [[fotorezyst]]u. Zwykle jest wykonana z płyty szklanej lub kwarcowej. Obecnie najczęściej stosuje się fotomaski chromowe, kiedyś popularniejsze były fotomaski emulsyjne. Do ich wykonania stosuje się najczęściej litografię laserową (większy wymiar krytyczny, niższa cena urządzenia) lub elektronolitografię (mniejszy wymiar krytyczny, wyższa cena urządzenia).
* litografii laserowej - urządzenie charakteryzuje się niższą ceną, ale oferuje większy wymiar krytyczny co oznacza niższą rozdzielczość.
* elektronolitografii - urządzenie droższe w zakupie, ale można uzyskać mniejszy wymiar krytyczny (wyższą rozdzielczość).
Po naświetleniu wzoru w rezyście wywołuje się go odpowiednim wywoływaczem. W ten sposób otwiera się okna w rezyście przez, które następnie usuwa się chrom. Najpopularniejszą metodą jest mokre trawienie w kwaśnych rozworach. Ostatecznie (po usunięciu już zbędnego rezystu) uzyskuje się płytę z wzorem, którego nieprzezroczyste obszary pokryte są chromem.
Gotowa fotomaska jest dalej używana w procesie [[fotolitografii]] do powielania wzoru na ostatecznych strukturach.