'''Elektronolitografia''' - jest obok [[fotolitografia| fotolitografii]] i [[rentgenolitografia|rentgenolitografii]] techniką wykorzystywaną do produkcji zminiaturyzowanych [[Układ scalony|układów elektronicznych]] na podłożach półprzewodnikowych.
W tej metodzie zamiast [[foton]]ów do uczulania [[rezyst|rezystu]] wykorzystuje się wiązkę [[elektron|elektronów]] o energii rzędu 20 keV charakteryzującą się znacznie mniejszejmniejszą długością fali. Główną zaletą tej techniki jest, więc wysoka [[rozdzielczość]] sięgająca 0,1 nm. Dodatkowo nie trzeba stosować maski, gdyż wiązką elektronów można sterować bezpośrednio za pomocą [[pole elektryczne|pola elektrycznego]] lub [[pole magnetyczne|pola magnetycznego]]. Odwzorowanie następuje przez przemiatanie wiązką po określonych rejonach zaprogramowanych w komputerze sterującym. Korekcja elektrostatyczna działa szybciej niż magnetyczna, jest jednak mniej precyzyjna. Wysoka energia elektronów oprócz klasycznych wzbudzeń prowadzi do rozrywania wiązań C-C, co powoduje zwiększenie rozpuszczalności rezystu. Otrzymanie tak wysokiej precyzji wymaga wprowadzenia dodatkowych elementów kontrolujących centrowanie maski i podłoża. Płytki umieszczane są na stolikach, których położenie kontrolowane jest z dokładnością do ułamków nanometrów[[nanometr]]ów za pomocą [[interferometr]]ów [[laser]]owych.
Ograniczeniem rozdzielczości elektronolitografii są przekrój wiązki elektronowej, rozpraszanie elektronów w podłożu i rezyście oraz wtórne odbicie od warstw rezystu. W zderzeniach generowane są również wtórne elektrony[[elektron]]y, które penetrują materiał daleko poza naświetlanym obszarem. Ekspozycji towarzyszy również silne rozpraszanie energii mogące częściowo rozkładać rezyst. Problemy te ujawniają się szczególnie przy produkcji struktur periodycznych i naświetlaniu blisko leżących elementów, Wtedy to sumują się bocznie rozproszone elektrony mogące powodować wywołanie rezystu w niechcianych obszarach. Jednym z rozwiązań jest stosowanie elektronów o niskiej energii, jednak wtedy pojawiają się problemy z silnym odpychaniem Coulombowskim elektronów i [[kolimacja|kolimacją]] wiązki. Użycie wysokoenergetycznych, głęboko penetrujących elektronów powoduje z kolei znaczne wydłużenie czasów naświetlania. Poważnym ograniczeniem elektronolitografii jest jej szybkość ograniczona prędkością skanowania wiązki. Choć powszechnie stosuje się ją w [[laboratorium|laboratoriach]] badawczych w przemyśle elektronicznym wciąż bezkonkurencyjna pod względem szybkości (100 razy szybsza) jest [[fotolitografia]]. Ważnym zastosowaniem elektronolitografii jest produkcja masek wykorzystywanych w fotolitografii.
===Źródła:===
*Fragment pracy zaliczeniowej „Procesy litograficzne na podłożu półprzewodnikowym” Paweł Majewski wklejony przez autora;
*Wykład dr Andrzeja Kowalika w [[Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych|Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych]];
*[http://www.research.ibm.com/journal/rd/411/chiu.html G. L.-T. Chiu J.M. Shaw Optical lithography: Introduction] ze strony firmy IBM [http://www.research.ibm.com/journal/rd/411/chiu.html];
