Epitaksja z wiązek molekularnych: Różnice pomiędzy wersjami

'''Epitaksja z wiązek molekularnych''' ([[język angielski|ang.]] ''Molecular Beam Epitaxy'' ('''MBE''')) - proces osadzania cienkich warstw [[półprzewodnik|półprzewodnikowych]] z wiązek molekularnych (lub atomowych) w ultrawysokiej [[próżnia|próżni]] ([[ciśnienie|p]] ≤10 ^-7 [[paskal|Pa]]). Metoda została opracowana pod koniec lat [[Lata_60._XX_wieku|60 ubiegłego wieku]] w [[Bell Telephone Laboratories]] przez [[J.R. Arthur]]a i [[Alfred Y. Cho|Alfreda Y. Cho]]. Obecnie MBE jest jedną z najszerzej stosowanych technologii wzrostu cienkich monowarstw metali, izolatorów i nadprzewodników, zrówna w badaniach jak i w produkcji na skalę przemysłową.