Model MASTAR tranzystora MOS: Różnice pomiędzy wersjami

[wersja nieprzejrzana][wersja nieprzejrzana]
Usunięta treść Dodana treść
mNie podano opisu zmian
mNie podano opisu zmian
Linia 14:
| oznaczenie=
| strony=p.146-147
}}</ref> <ref>{{Cytuj pismo
| nazwisko=Skotnicki
| imię=T.
Linia 31:
| oznaczenie=
| strony=p.165-168
}}</ref> jest obliczeniowym modelem [[en:MOSFET|tranzystora MOS]]. Został opracowany przy zastosowaniu metody VDT (ang. <u>V</u>oltage <u>D</u>oping <u>T</u>ransformation)<ref>{{Cytuj pismo
| nazwisko=Skotnicki
| imię=T.
| nazwisko2=Marciniak
| imię2=W
| autor-link=
| rok=Nov 1986
| tytuł="'''A new approach to threshold voltage modelling of short-channel MOSFETS'''"
| czasopismo=Solid-State Electronics
| oznaczenie=29 (11)
| strony=p.1115-1127
}}</ref><ref>{{Cytuj pismo
| nazwisko=Skotnicki
| imię=T.
| nazwisko2=Merckel
| imię2=G.
| nazwisko3=Pedron
| imię3=T
| autor-link=
| rok=March 1988
| tytuł="'''The voltage-doping transformation: a new approach to the modeling of MOSFET short-channel effects'''"
| czasopismo=IEEE Electron Device Letters
| oznaczenie=9 (3)
| strony=p.109-112
}}</ref>. Cechą modelu MASTAR jest dobra dokładność oraz ciągłość charakterystyki I-V wraz z pochodnymi we wszystkich zakresach polaryzacji. Model został zaimplementowany w niektórych programach wspomagających projektowanie układów elektronicznych, lecz nie jest tak rozpowszechniony jak modele EKV, HiSIM, PSP, BSIM. Jest stosowany przez komitet ITRS do opracowania prognoz rozwoju konstrukcji tranzystorów MOS.
 
== Bibliografia ==