Model MASTAR tranzystora MOS: Różnice pomiędzy wersjami

}}</ref>. Cechą modelu MASTAR jest dobra dokładność oraz ciągłość charakterystyki I-V wraz z pochodnymi we wszystkich zakresach polaryzacji. Model został zaimplementowany w niektórych programach wspomagających projektowanie układów elektronicznych <ref>[http://www.silvaco.com/tech_lib/simulationstandard/1996/may/a3/a3.html Modeling MOS Devices Using the MASTAR Model with UTMOST III]</ref>, lecz nie jest tak rozpowszechniony jak modele EKV, HiSIM, PSP, BSIM. Jest stosowany przez komitet ITRS (ang. <u>I</u>nternational <u>T</u>echnology <u>R</u>oadmap for <u>S</u>emiconductors) do opracowania prognoz rozwoju konstrukcji tranzystorów MOS.