Tranzystor polowy złączowy: Różnice pomiędzy wersjami

Tranzystor taki składa się z warstwy [[półprzewodnik]]a typu N (tranzystor z kanałem typu N) lub typu P (tranzystor z kanałem typu P) oraz wdyfundowanej w nią, silnie domieszkowanej warstwy półprzewodnika przeciwnego typu (odpowiednio p+ i n+). Tak więc w tranzystorze tworzone jest [[złącze p-n]]. Na zewnątrz obudowy wyprowadzone są trzy końcówki: '''[[dren (FET)|dren]]''' (ang. ''drain'', ozn. D); '''[[źródło (FET)|źródło]]''' (ang. ''source'', ozn. S) oraz '''[[bramka (FET)|bramka]]''' (ang. ''gate'', ozn. G)

 

 

Gdy napięcie bramka-źródło (<math>U_{GS}</math>) jest równe zero, wówczas nośniki większościowe płyną bez przeszkód - prąd dla danego napięcia dren-źródło (<math>U_{DS}</math>) osiąga wartość maksymalną oznaczaną symbolem <math>I_{DSS}</math>. Gdy natomiast napięcie bramka-źródło zacznie rosnąć (a dokładniej jego wartość bezwzględna), wówczas w złączu p-n, które jest spolaryzowane zaporowo pojawi się '''obszar ładunku przestrzennego''' (obszar zubożony). Obszar ten wnika w kanał, a że praktycznie nie ma w nim swobodnych nośników (charakteryzuje się bardzo dużą [[rezystancja|rezystancją]]), toteż czynny przekrój kanału zmaleje. Efektem tego jest zwiększenie rezystancji kanału, a więc ograniczenie prądu dren-źródło.