Wzmacniacz selektywny: Różnice pomiędzy wersjami
[wersja nieprzejrzana] | [wersja nieprzejrzana] |
Usunięta treść Dodana treść
Nie podano opisu zmian |
m zobacz też |
||
Linia 1:
'''Wzmacniacze selektywne''' służą wzmacnianiu sygnałów w ściśle określonym paśmie częstotliwości przy jednoczesnym dużym tłumieniu sygnałów poza pasmem.
Głównym zastosowaniem wzmacniaczy selektywnych są urządzenia odbiorcze (
Głównymi elementami stosowanymi w różnego rodzaju wzmacniaczach selektywnych (sposób konstrukcji zależy od wzmocnienia i zakresu częstotliwości) są tranzystory [[tranzystor bipolarny|bipolarne]], [[MOS]], [[MESFET]], [[HEMT]], [[wzmacniacz operacyjny|wzmacniacze operacyjne]], obwody LC, RC, linie długie, [[filtr
Głównymi parametrami wzmacniaczy selektywnych są:
Linia 10:
*współczynniki prostokątności p<sub>3/20</sub> i p<sub>6/60</sub>
*skuteczne wzmocnienie mocy
*[[impedancja|impedancje]] – wejściowa i wyjściowa
*współczynnik szumów
*dynamika (stosunek maksymalnej mocy wyjściowej do mocy szumów własnych)
Linia 17:
*opóźnienie grupowe (dla wzmacniaczy sygnałów z [[modulacja|modulacją]] lub sygnałów impulsowych)
Wzmacniacze selektywne dzielą się na wzmacniacze bezindukcyjne (inaczej [[filtr aktywny|filtry aktywne]]) oraz wzmacniacze wielkiej częstotliwości z obwodami LC lub filtrami
Najprostszym wzmacniaczem selektywnym jest obwód [[rezonans|rezonansowy]] LC.
===Zobacz też===
*[[przegląd zagadnień z zakresu elektryczności]]
*[[wzmacniacz elektryczny]]
[[Kategoria:Wzmacniacze elektroniczne]]
|