Niebieski laser: Różnice pomiędzy wersjami

Usunięte 30 bajtów ,  13 lat temu
brak opisu edycji
[wersja przejrzana][wersja przejrzana]
Nie podano opisu zmian
Nie podano opisu zmian
'''Niebieski laser półprzewodnikowy''' to potoczna nazwa [[Laser półprzewodnikowy|diody laserowej]] zbudowanej na bazie [[Azotek galu|azotku galu]] (GaN). Nazwa pochodzi od koloru światła które emituje dioda, jest ona zresztą w znacznym stopniu myląca ze względu na to, że najbardziej typowa konstrukcja tego lasera emituje światło o [[długość fali]] 405 nm. [[Oko]] ludzkie widzi takie światło jako [[kolor purpury|purpurowe]].
Pierwsza półprzewodnikowa dioda laserowa została wytworzona przez Shuji'ego Nakamurę z japońskiej firmy Nichia Chemicals na przełomie roku 1995 i 1996<ref>przypis, S. Nakamura, S. Pearton, G. Fasol, "The blue laser diode", Springer 1997,2000</ref>. Był to laser emisji krawędziowej, z warstwa aktywną zbudowaną ze [[studnia kwantowa|studni kwantowych]] InGaN. Początkowo struktury te były wytwarzane na podłożach z szafiru, obecnie lasery mają podłoża z monokrystalicznego azotku galu.
Wkrótce po demonstracji Nakamury (firma Nichia) wiele firm i uniwersytetów japońskich i amerykańskich włączyło się do rywalizacji o stworzenie wydajnego i trwałego [[Laser półprzewodnikowy|lasera półprzewodnikowego]] na azotku galu. Były to między innymi:
na przełomie roku 1995 i 1996<ref>przypis, S. Nakamura, S. Pearton, G. Fasol, "The blue laser diode", Springer 1997,2000</ref>. Był to laser emisji krawędziowej, z warstwa aktywną zbudowaną ze studni kwantowych InGaN. Początkowo struktury te były wytwarzane na podłożach z szafiru, obecnie lasery mają podłoża z monokrystalicznego azotku galu.
Wkrótce po demonstracji Nakamury (firma Nichia) wiele firm i uniwersytetów japońskich i amerykańskich włączyło się do rywalizacji o stworzenie wydajnego i trwałego lasera półprzewodnikowego na azotku galu. Były to między innymi:
# 1996 [[Toshiba]]<ref>14. K. Itaya, M. Onomura, J. Nishio, L. Sugiura, S. Saito, M. Suzuki, J. Rennie, S. Nuonue, M. Yamamoto, H. Fujimoto, Y. Kokubun, Y. Ohba, G. Hatakoshi, M. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L1315 (1996)</ref>
# 1997 [[Fujitsu]] <ref>15. A. Kutamata, K. Domen, R. Soejima, K. Horino, S. Kubota, T. Tanahashi, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1130 (1997)</ref>
 
== Konstrukcja niebieskiej diody laserowej na azotku galu ==
[[Plik:Struktura-blue1.jpgpng|thumb|500px400px|center|Schemat niebieskiej diody laserowej]]
[[Plik:Struktura-blue1.png|thumb|500px|center|Schemat niebieskiej diody laserowej]]
 
Diody laserowe emitujące światło niebieskie zbudowane w oparciu o azotek galu sa to przyrządy o emisji krawędziowej i typowej dla diod laserowych konstrukcji o rozdzielonym ograniczeniu przestrzennym pola i nośników (Separate Confinement Heterostructure - SCH)<ref>Larry A. Coldren and Scott W. Corzine Reviewer
 
==Lasery emisji powierzchniowej - VCSEL==
Konstrukcja laserów emisji powierzchniowej na azotku galu (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) od dawna była celem wielu grup badawczych. Jednak, konstrukcja tych przyrządów była niezwykle trudna ze względu na problemy w otrzymaniu monolitycznych zwierciadeł Bragga, posiadajacych zarówno dobre właściwości strukturalne jak i zadowalające parametry elektryczne. Dopiero ostatnio dzieki zastosowaniu technik hybrydowych (użycie zewnętrznych zwierciadeł dielektrycznych) udało sie grupie z Taiwanu[[Taiwan]]u zademonstrowac po praz pierwszy taki laser. <ref>"CW lasing of current injection blue GaN-based vertical cavity surface emitting laser". Tien-Chang Lu, Chih-Chiang Kao, Hao-Chung Kuo, Gen-Sheng Huang, and Shing-Chung WangAppl. Phys. Lett. 92, 141102 (2008); </ref> Wkrótce potem, firma Nichia zademonstrowała pracujacy w temperaturze pokojowej azotkowy VCSEL<ref>Room-Temperature CW Lasing of a GaN-Based Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser by Current Injection
Yu Higuchi, Kunimichi Omae, Hiroaki Matsumura, and Takashi Mukai, Appl. Phys. Express 1 (2008) 121102</ref>
 
32 349

edycji