Dioda tunelowa: Różnice pomiędzy wersjami
| [wersja nieprzejrzana] | [wersja nieprzejrzana] |
Usunięta treść Dodana treść
m kilka nowych informacji (m.in. wart. prądów, napięć) |
m akapit |
||
Linia 12:
* rezystancja dynamiczna dla opadającej części charakterystyki.
Dla diod krzemowych <math>U_P = 70 \div 80\textrm{mV}</math>, <math>U_V = 350 \div 450\textrm{mV}</math>, dla diod wykonanych z aresenku galu <math>U_P = 90 \div 200\textrm{mV}</math>, <math>U_V = 400 \div 800\textrm{mV}</math>.
Typowe wartości prądu <math>I_P</math> są rzędu kilku-kilkunastu miliamperów. Ważnym parametrem jest iloraz <math>I_P/I_V</math> - im jest on większy, tym lepiej. Ponadto, ze względu na przeznaczenie tych elementów do pracy z bardzo dużymi częstotliwościami istotne stają się pojemność złącza p-n, indukcyjność pasożytnicza oraz pojemność obudowy, ponieważ wpływają na szybkość działania diody.
| |||