'''Pamięć dynamiczna''', '''DRAM''' ([[Język angielski|ang.]] ''Dynamic Random Access Memory'') – rodzaj
ulotnej [[Pamięć cyfrowa|pamięci]] [[półprzewodnik]]owej [[RAM|o dostępie swobodnym]], której [[bit]]y są reprezentowane przez stan naładowania [[kondensator]]ów. Poszczególne jej elementy zbudowane są z [[tranzystor]]ów [[MOSFET|MOS]], z których jeden pełni funkcję kondensatora, a drugi elementu separującego.
W przeciwieństwie do [[SRAM (pamięci komputerowe)|pamięci statycznych]] nie wymagają stałego zasilania, a jedynie okresowego odświeżania zawartości (ze względu na rozładowywanie się kondensatorów). Dzięki takiemu zasilaniu zużywają mniej energii. Jednocześnie pojedyncza komórka pamięci dynamicznej składa się z mniejszej liczby elementów niż analogiczna komórka pamięci statycznej. Powyższe cechy pozwalają na większe upakowanie elementów w [[układ scalony|układach scalonych]], co daje efekt w postaci niższych kosztów produkcji i pozwala na budowę układów pamięci o większych pojemnościach.
Odświeżanie musi następować w regularnych odstępach czasu oraz bezpośrednio po każdej operacji odczytu i polega na ponownym zapisie odczytanej wartości w tych samych komórkach pamięci. Za odświeżanie odpowiedzialne są specjalizowane układy wspomagające (kontroler pamięci – obecnie najczęściej stanowi on integralną część [[chipset]]u) bądź sam procesor (np. [[Z80]]).
Pamięci dynamiczne najczęściej łączone są w dwuwymiarowe tablice adresowane numerem wiersza i kolumny, co pozwala ograniczyć liczbę wymaganych linii adresowych i przyspiesza sekwencyjny odczyt danych umieszczonych w kolejnych komórkach tego samego wiersza pamięci.
Pamięci dynamiczne są obecnie szeroko wykorzystywane jako [[pamięć operacyjna]] we wszystkich urządzeniach niespecjalizowanych.
