Epitaksja: Różnice pomiędzy wersjami
| [wersja nieprzejrzana] | [wersja nieprzejrzana] |
Usunięta treść Dodana treść
m Karol |
Nie podano opisu zmian |
||
Linia 1:
'''Epitaksja''' (gr. ''epi'' + ''taxia'' = położony na) jest to technika [[półprzewodnik]]owa wzrostu nowych warstw [[monokryształ]]u na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej [[sieć krystaliczna|sieci krystalicznej]] podłoża.
Opracował ją w [[1957]] roku N. N. Sheftal z zespołem.
Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od [[Domieszkowanie|domieszkowania]] podłoża.
Odmianą epitaksji jest '''epitaksja z wiązki molekularnej''' - technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji [[kropka kwantowa|kropek kwantowych]] oraz tzw. cienkich warstw.
| |||