Dioda tunelowa: Różnice pomiędzy wersjami

 

<br clear="both">

 

Taką charakterystykę uzyskuje się w [[złącze p-n|złączach]] silnie domieszkowanych, wówczas możliwe jest [[efekt tunelowy|przejście tunelowe]] nośników z [[pasmo walencyjne|pasma walencyjnego]] do [[pasmo przewodzenia|pasma przewodzenia]] zarówno z obszaru półprzewodnika typu p+ do n+, jak i z obszaru n+ do p+, także przy polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia (porównaj ze [[zjawisko Zenera|zjawiskiem Zenera]]). Czas tunelowego przejścia nośników jest rzędu <math>10^{-13}s</math> dlatego diody tego typu wykorzystuje się do wytwarzania, wzmacniania i detekcji słabych drgań wysokich częstości (rzędu kilkuset gigaherców), w [[układ impulsowy|układach impulsowych]] (np. cyfrowych) oraz jako elementy aktywne [[generator (elektronika)|generatorów]].