Dioda tunelowa: Różnice pomiędzy wersjami

[wersja przejrzana][wersja przejrzana]
Usunięta treść Dodana treść
EmausBot (dyskusja | edycje)
m r2.6.4) (robot dodaje ml:ടണൽ ഡയോഡ്
MastiBot (dyskusja | edycje)
m r2.7.1) (Robot dodał ko:에사키 다이오드; zmiany kosmetyczne
Linia 1:
[[GrafikaPlik:Diode-tunnel-EN A-K.svg|175px|thumb|Symbol diody tunelowej (''A'' - anoda, ''K'' - katoda)]]
'''Dioda tunelowa''', rzadziej '''dioda Esakiego''' - [[dioda]] [[półprzewodnik]]owa, która dla pewnego zakresu [[napięcie elektryczne|napięć]] polaryzujących charakteryzuje się [[rezystancja dynamiczna|'''ujemną rezystancją dynamiczną''']].
 
Taką charakterystykę uzyskuje się w [[złącze p-n|złączach]] silnie [[Domieszkowanie|domieszkowanych]], bowiem jest w nich możliwe [[efekt tunelowy|przejście tunelowe]] nośników z [[pasmo walencyjne|pasma walencyjnego]] do [[pasmo przewodzenia|pasma przewodzenia]] zarówno z obszaru półprzewodnika typu ''p+'' do ''n+'', jak i z obszaru ''n+'' do ''p+'', także przy polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia (porównaj ze [[zjawisko Zenera|zjawiskiem Zenera]]). Czas tunelowego przejścia nośników jest rzędu 10<sup>-13</sup>&nbsp;s, dlatego diody tego typu wykorzystuje się do wytwarzania, wzmacniania i detekcji słabych drgań wysokich częstości (rzędu kilkuset gigaherców), w [[układ impulsowy|układach impulsowych]] (np. cyfrowych) oraz jako elementy aktywne [[generator drgań|generatorów]].
[[GrafikaPlik:Dioda-tunelowa-rd.svg|frame|thumb|Charakterystyka prądowo-napięciowa diody tunelowej]]
Diody tunelowe wykonywane są z [[krzem]]u, [[arsenek galu|arsenku galu]], [[antymonek galu|antymonku galu]] oraz obecnie już niezbyt często z [[german]]u. Istotne parametry:
* ''punkt szczytu'', określony przez napięcie <math>U_P</math> i natężenie prądu <math>I_P</math>;
Linia 30:
[[es:Diodo túnel]]
[[fr:Diode à effet tunnel]]
[[ko:에사키 다이오드]]
[[lv:Tuneļdiode]]
[[ml:ടണൽ ഡയോഡ്]]