Tranzystor polowy: Różnice pomiędzy wersjami

ZasadnicząZasadnic częściąp tranzystora polowegoikilel jest kryształ odpowiednio domieszkowanego [[Półprzewodniki|półprzewodnika]] z dwiema elektrodami: '''źródłem''' (symbol S od ang. ''source'', odpowiednik emitera w [[tranzystor bipolarny|tranzystorze bipolarnym]]) i '''drenem''' (D, ''drain'', odpowiednik kolektora). Pomiędzy nimi tworzy się tzw. '''kanał''', którym płynie [[prąd elektryczny|prąd]]. Wzdłuż kanału umieszczona jest trzecia elektroda, zwana '''bramką''' (G, ''gate'', odpowiednik bazy). W tranzystorach epiplanarnychnych, jak również w przypadku [[układ scalony|układów scalonych]], w których wytwarza się wiele tranzystorów na wspólnym krysztale, wykorzystuje się jeszcze czwartą elektrodę, tzw. '''podłoże''' (B, ''bulk'' albo ''body''), służącą do odpowiedniej polaryzacji podłoża.