Tranzystor polowy: Różnice pomiędzy wersjami

[wersja nieprzejrzana][wersja przejrzana]
Usunięta treść Dodana treść
aawerr
Znaczniki: wulgaryzmy lub nieodpowiednie słownictwo (filtr nadużyć) VisualEditor
ktoś się wygłupia
Linia 1:
[[Plik:P45N02LD.jpg|thumb|120px|Tranzystor polowy dużej mocy]]
'''Tranzystor polowy''', '''tranzystor unipolarny''', '''FET''' ([[Język angielski|ang.]] ''Field Effect Transistor'') – [[tranzystor]], w którym sterowanie prądem odbywa się za pomocą [[pole elektryczne|pola elektrycznego]].
'''MURiiiiiiiiiiii kogz !!!!!!!!!!!!!!!! POZDr0 dla 1bt e'''
 
== Budowa ==
[[Plik:JFET Transistor.svg|thumb|250px|Uproszczona budowa tranzystora JFET. S- źródło, G - bramka, D - dren, 1 - obszar zubożony, 2 - kanał]]
 
Zasadniczą częścią tranzystora polowego jest kryształ odpowiednio domieszkowanego [[Półprzewodniki|półprzewodnika]] z dwiema elektrodami: '''źródłem''' (symbol S od ang. ''source'', odpowiednik emitera w [[tranzystor bipolarny|tranzystorze bipolarnym]]) i '''drenem''' (D, ''drain'', odpowiednik kolektora). Pomiędzy nimi tworzy się tzw. '''kanał''', którym płynie [[prąd elektryczny|prąd]]. Wzdłuż kanału umieszczona jest trzecia elektroda, zwana '''bramką''' (G, ''gate'', odpowiednik bazy). W tranzystorach epiplanarnych, jak również w przypadku [[układ scalony|układów scalonych]], w których wytwarza się wiele tranzystorów na wspólnym krysztale, wykorzystuje się jeszcze czwartą elektrodę, tzw. '''podłoże''' (B, ''bulk'' albo ''body''), służącą do odpowiedniej polaryzacji podłoża.
 
== Działanie ==
[[Plik:MOSFET N Channel symbol.svg|thumb|200px|Symbol tranzystora polowego MOSFET z kanałem N]]