Niebieski laser: Różnice pomiędzy wersjami

Dodane 5 bajtów ,  6 lat temu
brak opisu edycji
[wersja przejrzana][wersja przejrzana]
m (Bot: Przenoszę linki interwiki (1) do Wikidata, są teraz dostępne do edycji na d:Q1050156)
Nie podano opisu zmian
 
== Historia ==
Pierwsza półprzewodnikowa dioda laserowa została wytworzona przez Shuji’egoShujiego Nakamurę z japońskiej firmy [[Nichia]] Chemicals na przełomie roku 1995 i 1996<ref>S. Nakamura, S. Pearton, G. Fasol, „The blue laser diode”, Springer 1997,2000.</ref>. Był to laser emisji krawędziowej, z warstwą aktywną zbudowaną ze [[studnia kwantowa|studni kwantowych]] InGaN. Początkowo struktury te były wytwarzane na podłożach z szafiru, obecnie lasery mają podłoża z monokrystalicznego azotku galu.
 
Wkrótce po demonstracji Nakamury (firma [[Nichia]]) wiele firm i uniwersytetów japońskich i amerykańskich włączyło się do rywalizacji o stworzenie wydajnego i trwałego [[Laser półprzewodnikowy|lasera półprzewodnikowego]] na azotku galu. Były to między innymi:
* 1996 [[Toshiba]]<ref>14. K. Itaya, M. Onomura, J. Nishio, L. Sugiura, S. Saito, M. Suzuki, J. Rennie, S. Nuonue, M. Yamamoto, H. Fujimoto, Y. Kokubun, Y. Ohba, G. Hatakoshi, M. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L1315 (1996).</ref>
* 1997 [[Fujitsu]]<ref>15. A. Kutamata, K. Domen, R. Soejima, K. Horino, S. Kubota, T. Tanahashi, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1130 (1997).</ref>
50 594

edycje