Epitaksja: Różnice pomiędzy wersjami

Dodane 3 bajty ,  15 lat temu
m
brak opisu edycji
(linki)
mNie podano opisu zmian
'''Epitaksja''' (gr. ''epi'' + ''taxia'' = położony na) jest to technika [[półprzewodnik]]owa wzrostu nowych warstw [[monokryształ]]u na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej [[sieć krystaliczna|sieci krystalicznej]] podłoża.
Opracował ją w [[1957]] roku N. N. Sheftal z zespołem.
Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od [[Domieszkowaniedomieszkowanie|domieszkowania]] podłoża.
 
Odmianą epitaksji jest '''epitaksja z wiązki molekularnej''' - technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji [[kropka kwantowa|kropek kwantowych]] oraz tzw. cienkich warstw.
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania [[mgła|mgły]] i wywoływania [[opad]]ów.
 
Patrz===Zobacz też:===
[[półprzewodnik]], [[metoda Czochralskiego]], *[[Jan Czochralski]]
*[[metoda Czochralskiego]]
*[[półprzewodnik]]
 
[[Kategoria:Materiałoznawstwo]]