Bramka NAND: Różnice pomiędzy wersjami
| [wersja nieprzejrzana] | [wersja przejrzana] |
Usunięta treść Dodana treść
Nie podano opisu zmian Znaczniki: Z urządzenia mobilnego Z wersji mobilnej (przeglądarkowej) |
m Wycofano edycje użytkownika 2A00:F41:1C38:BCDF:8999:17D0:D96:15D1 (dyskusja). Autor przywróconej wersji to EmausBot. |
||
Linia 18:
Bramki NAND wykorzystywane są – obok bramek NOR – w [[pamięć flash|pamięciach flash]]. W stosunku do pamięci NOR pamięć NAND ma krótszy czas zapisu i kasowania, większą gęstość upakowania danych, korzystniejszy stosunek kosztu pamięci do jej pojemności oraz dziesięciokrotnie większą wytrzymałość.
Bramki NAND wytwarzane są w technologii [[CMOS]] i [[Transistor-
<gallery>
| |||