Złącze p-n: Różnice pomiędzy wersjami
[wersja przejrzana] | [wersja przejrzana] |
Usunięta treść Dodana treść
Anulowanie wersji 53657746 autora 149.156.124.13 (dyskusja); źródło? Znacznik: Anulowanie edycji |
|||
Linia 1:
'''Złączem p-n''' nazywane jest [[Złącze (elektronika)|złącze]] dwóch [[Półprzewodniki|półprzewodników niesamoistnych]] o różnych typach przewodnictwa: ''p'' i ''n''.
W obszarze typu ''n'' (negative) ''nośnikami większościowymi'' są elektrony (ujemne). Atomy domieszek (''[[donor]]y'') pozostają unieruchomione w [[Sieć krystaliczna|sieci krystalicznej]]. Analogicznie w obszarze typu ''p'' (positive) nośnikami większościowymi są [[dziura elektronowa|dziury]] o [[ładunek elektryczny|ładunku elektrycznym]] dodatnim. Atomy domieszek są tu ''[[akceptor]]ami''. W półprzewodnikach obu typów występują także ''nośniki mniejszościowe'' przeciwnego znaku niż większościowe; [[
== Złącze niespolaryzowane ==
W stanie [[równowaga termodynamiczna|równowagi termodynamicznej]], tj. gdy z zewnątrz nie przyłożono żadnego [[pole elektryczne|pola elektrycznego]], w pobliżu styku obszarów ''p'' i ''n'' swobodne nośniki większościowe przemieszczają się (dyfundują), co spowodowane jest różnicą koncentracji nośników. Gdy elektrony przemieszczą się do obszaru typu ''p'', natomiast dziury do obszaru typu ''n'' (stając się wówczas nośnikami mniejszościowymi) dochodzi do [[Rekombinacja (fizyka)|''rekombinacji'']] z nośnikami większościowymi, które nie przeszły na drugą stronę złącza. Rekombinacja polega na
Zatem rekombinacja powoduje redukcję nośników po obu stronach złącza, w wyniku czego w pobliżu kontaktu pozostają jedynie odsłonięte jony [[domieszka|domieszek]]: ujemne akceptorów i dodatnie donorów; jony te wytwarzają pole elektryczne, które zapobiega dalszej [[dyfuzja|dyfuzji]] nośników. W efekcie w pobliżu złącza powstaje ''warstwa ładunku przestrzennego'', nazywana też ''warstwą zubożoną'' (tj. praktycznie nieposiadającą swobodnych nośników) lub ''warstwą zaporową''. Nieruchomy ładunek dodatni po stronie ''n'' hamuje przepływ dziur z obszaru ''p'', natomiast ładunek ujemny po stronie ''p'' hamuje przepływ elektronów z obszaru ''n''. Innymi słowy przepływ nośników większościowych praktycznie ustaje.
[[Plik:Zlacze pn-niespolaryzowane.svg|
Przepływ nośników większościowych nazywany jest ''prądem dyfuzyjnym''. W złączu mogą przepływać również nośniki mniejszościowe
Pole elektryczne ładunku przestrzennego jest reprezentowane przez barierę potencjału. W złączu niespolaryzowanym jest to ''napięcie dyfuzyjne'', którego wartość zależy głównie od koncentracji domieszek i temperatury. W przypadku złączy wykonanych z [[krzem]]u napięcie to w temperaturze pokojowej ma wartość rzędu 0,
== Polaryzacja złącza ==
Linia 23:
=== Polaryzacja w kierunku przewodzenia ===
W tym przypadku bariera potencjału zmniejsza się o wartość zewnętrznego napięcia ''U'', zmniejsza się również szerokość obszaru zubożonego. Gdy ''U'' przekroczy wartość napięcia dyfuzyjnego, wówczas obszar zubożony znika i praktycznie bez przeszkód następuje dyfuzja nośników mniejszościowych z obszaru ''n'' do ''p'' i z ''p'' do ''n''. Te dodatkowe nośniki (nazywane ''wstrzykniętymi nośnikami mniejszościowymi'') rekombinują z nośnikami większościowymi w danym obszarze. Ze źródła zasilania jednak wciąż dopływają nowe nośniki większościowe, zatem dyfuzja nie zatrzymuje się jak w przypadku niespolaryzowanego złącza, lecz ma miejsce cały czas. W efekcie w obwodzie płynie ''prąd dyfuzyjny''. Jego wartość opisuje przybliżone równanie, zwane równaniem Shockleya:
: <math>I = I_{sat} \left( e^\frac{qU}{kT} -1 \right) = I_{sat} \left( e^\frac{U}{U_T} - 1\right)</math>,▼
gdzie:
▲: <math>I = I_{sat} \left( e^\frac{qU}{kT} -1 \right) = I_{sat} \left( e^\frac{U}{U_T} - 1\right)</math>
*
▲* ''I<sub>sat</sub>'' - natężenie prądu nasycenia złącza, które zależy od konstrukcji złącza i parametrów materiałów
▲* ''q'' - [[Ładunek elektryczny elementarny|ładunek elektronu]]
▲* ''T'' - temperatura (w kelwinach)
*
▲* ''k'' - [[Stała Boltzmanna|stała Boltzmana]]
▲* ''U<sub>T</sub>'' - [[potencjał elektrokinetyczny]], <math>U_T = \frac{kT}{q}</math>, który wynosi ok. 26 mV dla T = 300 K (27 °C)<ref>W Polsce przyjmuje się potencjał elektrokinetyczny ok. 25 mV (dla T = 293 K tj. 20 °C). Czasami może prowadzić to do rozbieżności w wynikach, szczególnie w porównaniu z wartościami obliczonymi za pomocą oprogramowania analizującego obwody (programy zazwyczaj wpisane mają jako domyślną temperaturę T = 300 K).</ref>
=== Polaryzacja w kierunku zaporowym ===
Linia 36:
== Pojemność złącza ==
Złącze ''pn'' spolaryzowane w kierunku zaporowym charakteryzuje pewna [[pojemność elektryczna]], która (nieliniowo) zależy od szerokości obszaru zubożanego
[[Plik:Zlacze pn-pojemnosc zlaczowa.svg|frame|right|Zależność pojemności złączowej od napięcia]]
Linia 42:
Zależność ta opisana jest przybliżonym wzorem
: <math>C_j = \frac{C_{j0}}{\left(1 - \frac{U}{\varphi_B}\right)^n}</math>
gdzie:
* <math>C_{j0}</math>
* <math>\varphi_B</math>
* <math>n</math>
Oprócz pojemności złączowej istnieje również ''pojemność dyfuzyjna'' związana z występowaniem nadmiarowych nośników mniejszościowych; zależy od natężenia prądu płynącego przez złącze.
== Przebicie lawinowe ==
Jeśli napięcie polaryzujące jest odpowiednio duże (a więc obszar zubożony szeroki), to nośniki przechodzące przez obszar zubożony uzyskują dużą energię. Zderzając się z węzłami sieci krystalicznej (z atomami) przekazują im część swojej energii, co powoduje przejście elektronów do pasma przewodnictwa, a co za tym idzie również
== Przebicie Zenera ==
{{osobny artykuł|Zjawisko Zenera}}
Przebicie Zenera występuje w złączach silnie domieszkowanych, tzn. takich w których koncentracja domieszek (akceptorów i donorów) jest bardzo duża i zachodzi dla napięć wstecznych mniejszych od
== Charakterystyka prądowo-napięciowa ==
Linia 61 ⟶ 62:
Charakterystyczne zakresy pracy złącza oznaczone są różnymi kolorami:
* czerwony (polaryzacja w kierunku przewodzenia)
* niebieski (polaryzacja w kierunku przewodzenia)
* zielony (polaryzacja w kierunku zaporowym)
* żółty (polaryzacja w kierunku zaporowym)
== Zobacz też ==▼
* [[tranzystor]]
== Przypisy ==
{{Przypisy}}
▲== Zobacz też ==
▲* [[Dioda]]
▲* [[Dioda prostownicza]]
▲* [[Dioda Zenera]]
{{Commonscat|PN-junction diagrams}}
|