Chemiczne osadzanie z fazy gazowej: Różnice pomiędzy wersjami

m
→‎Technika PACVD: drobne, dodany bardziej popularny skrót PECVD
m (drobne redakcyjne)
m (→‎Technika PACVD: drobne, dodany bardziej popularny skrót PECVD)
Technika [[MOCVD]] (''metallorganic CVD'') ma najszersze zastosowanie w elektronice do osadzania warstw półprzewodnikowych. Cechą charakterystyczną tej techniki jest to, że prekursorami są tutaj związki metaloorganiczne, na przykład alkilki (alkilany) – [[metylki]] i [[etylki]] – oraz wodorki metali grupy III, które rozkładają się we względnie niskich temperaturach (poniżej 800 °C). W taki sposób otrzymane warstwy są bardzo cienkie i zwykle [[epitaksja]]lne. Niska temperatura procesu MOCVD przydatna jest przy osadzaniu związków odpornych na ścieranie i korozję na podłożach stalowych.
 
=== Technika PECVD/PACVD ===
Chemiczne osadzanie z fazy gazowej ze wspomaganiem plazmowym (''PECVD ='' ''plasma- enchanced chemical vapour deposition,'' rzadziej używana nazwa: ''PACVD = plasma assisted CVDchemcal vapour deposition'') jest techniką bardzo atrakcyjną ze względu na niską temperaturę procesu, możliwość osadzania nierównowagowych faz oraz lepszą kontrolę nad stechiometrią i czystością powłok.
 
Niską temperaturę procesu osadzania warstw uzyskuje się dzięki wzbudzeniu przy pomocy plazmy cząstek mieszaniny gazowej do energii zgodnej z termicznym wzbudzeniem. Wówczas nierównowagowa reakcja, w wyniku której osadza się żądany produkt, może wystąpić w temperaturze o wiele niższej (poniżejorientacyjnie 200-600 °C). Typowy reaktor PACVD pokazano poniżej.
 
Plazma generowana jest w polu elektrycznym między dwiema równoległymi płytkami, z których jedna jest katodą, a druga, na której znajdują się podłoża, jest [[Uziemienie|uziemiona]]. W procesie PACVD stan plazmy można podtrzymywać dwoma sposobami: stałoprądowym lub zmiennym (o częstotliwości radiowej) [[Wyładowanie jarzeniowe|wyładowaniem jarzeniowym]].