'''Epitaksja''' (gr. ''epi'' + ''taxis'' = na uporządkowanym) – technika [[Półprzewodniki|półprzewodnikowa]] wzrostunakładania nowych warstw [[monokryształ]]u na istniejącymistniejące podłożupodłoże krystalicznymkrystaliczne, która powiela układ istniejącej [[sieć krystaliczna|sieci krystalicznej]] podłoża. Opracował ją w 1957 roku N.N. Sheftal z zespołem. Pozwala ona kontrolować [[domieszkowanie]] warstwy epitaksjalnej (zarówno typu ''p'', jak i ''n'') i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.
Opracował ją w [[1957]] roku N. N. Sheftal z zespołem.
Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od [[domieszkowanie|domieszkowania]] podłoża.
Odmianą epitaksjitej technologii jest '''epitaksja z wiązek molekularnych''', –która technika ta pozwala naumożliwia nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczejjednego warstwyatomu atomowej.i Technika tastosowana jest wykorzystywana w produkcji [[kropka kwantowa|kropek kwantowych]] oraz tzw.tak zwanych cienkich warstw.
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używanewykorzystywane do rozpraszania [[mgła|mgły]] i wywoływania [[Opad atmosferyczny|opadów]].
== Rodzaje epitaksji ==
* [[Epitaksja z wiązek molekularnych|MBE]] (''Molecularmolecular Beambeam Epitaxyepitaxy'') – epitaksja z wiązek molekularnych
* [[MOCVD]] (''Metal-Organicmetalorganic Chemicalchemical Vapourvapour Depositiondeposition'') – epitaksja ze związków metaloorganicznych
* [[LPE]] (''Liquidliquid‐phase Phase Epitaxyepitaxy'') – epitaksja z fazy ciekłej
* [[VPE]] (''Vapourvapour-phase Phase Epitaxyepitaxy'') – epitaksja z fazy gazowej
