Dioda tunelowa: Różnice pomiędzy wersjami

'''Dioda tunelowa''' – [[dioda półprzewodnikowa]] charakteryzująca się niewielką grubością [[Złącze p-n|złącza "p-n",]], bardzo wysokim stężeniem domieszek w obu złączach (półprzewodniki domieszkowane "p" i "n") oraz ujemną wartością [[Rezystancja dynamiczna|rezystancji dynamicznej]] dla pewnego zakresu napięcia dodatnio polaryzującego. Została ona wynaleziona w 1957 roku przez japońskiego fizyka [[Leo Esaki]] (stąd też alternatywną nazwą diody tunelowej jest określenie "dioda Esakiego"). W trakcie przeprowadzania badań nad złączami półprzewodnikowymi p-n zauważył, że gdy dioda jest silnie domieszkowana, to po przekroczeniu pewnej wartości napięcia przewodzenia, w pewnym przedziale napięć wykazuje ujemną wartość rezystancji dynamicznej. W 1973 roku Leo Esaki został laureatem [[Nagroda Nobla|Nagrody Nobla]] z fizyki za odkrycie zjawiska tunelowania [[elektron]]ów w diodzie tunelowej. Zjawisko to polega na przenikaniu nośników prądu przez wąską warstwę przy bardzo małym [[Napięcie elektryczne|napięciu]].