Metoda Verneuila: Różnice pomiędzy wersjami

[wersja nieprzejrzana][wersja nieprzejrzana]
Usunięta treść Dodana treść
rozbudowa artykułu
Nie podano opisu zmian
Linia 3:
'''Metoda Verneuila''' jest to jedna z metod otrzymywania [[monokryształ]]ów. <br> Polega na topieniu (np. w termperaturze 2100 <sup>o</sup>C silnie rozdrobnionego substratu) i [[krystalizacja|krystalizacji]] ze [[stop]]u. [[Substrat]] powinien się odznaczać nadzwyczajną czystością i [[dyspergowalność|dyspergowalnością]]
 
Metoda wyróżnia się tym, iż [[polikryształ|polikrystaliczny]], drobno rozmielony [[substrat]] sypany jest cienką strużką na [[płomień]] [[palnik|palnika]], najczęściej [[palnik tlenowodorowy|tlenowodoroegotlenowodorowego]], gdzie ulega [[topnienie|stopieniu]], a następnie [[stan ciekły|ciekły]] stop opada na monokrystaliczny podkład, którym jest najczęściej naturalny [[kryształ]] [[minerał]]u - np. [[rubin]]u. Wzrost dopływu tlenu powoduje wzrost temperatury i rozszerzenie podstawy kryształu. Po wytworzeniu się oczekiwanej wielkości kryształu (tzw. gruszki) następuje jego stopniowe chłodzenie i odprężanie (przez wygrzewanie w wysokiej temperaturze i bardzo powolne ochładzanie). <br>
 
Ponieważ różnica [[temperatura|temperatur]] stopu oraz powstałego, monokrystalicznego tworu jest nieznaczna, budujące kryształ [[molekuła|molekuły]] mają czas na uzyskanie [[uporządkowanie dalekiego zasięgu|uporządkowania dalekiego zasięgu]], zanim temperatura cieczy spadnie poniżej [[punkt krystalizacji|punktu krystalizacji]].<br> [[Powierzchnia kryształu]] jest jednocześnie [[defekt]]em [[sieć krystaliczna|sieci krystalicznej]], gdzie [[energia swobodna]] molekuł budujących powierzchnię jest wyższa niż tych wewnątrz kryształu gdyż [[liczba koordynacyjna]] molekuł powierzchniowych jest mniejsza. <br> Zgodnie z zasadą [[minimum energetyczne]]go, molekuły chętniej będą rozbudowywały istniejącą już powierzchnię kryształu niż tworzyły nową, co zapewnia że powstający twór również (jeśli podkładem był monokryształ) będzie monokrystaliczny.<br> [[Punkt krystalizacji]] powinien być nieruchomy względem palnika, a jego przemieszczenie jest najczęstszą przyczyną niepowodzenia procesu monokrystalizacji w omawianej metodzie. <br> Nowopowstały kryształ rośnie, więc aby punkt krystalizacji był nieruchomy, cały podkład z monokryształem musi być obniżany. <br>