Wersja z 23:37, 11 maj 2005 edytuj 194.106.210.130 (dyskusja) nowy zalążek artykułu		Wersja z 21:51, 19 maj 2005 edytuj anuluj edycję Xlxl (dyskusja \| edycje) Redaktorzy 1086 edycji mNie podano opisu zmian następna edycja →
Linia 1: '''Epitaksja''' (gr. ''epi'' + ''taxia'' = "położony na") jest to technika [[półprzewodnik]]owa wzrostu nowych warstw [[monokryształ]]u na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej [[sieć krystaliczna\|sieci krystalicznej]] podłoża. Opracował ją w [[1957]] roku N. N. Sheftal z zespołem. Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.

Epitaksja: Różnice pomiędzy wersjami