Epitaksja: Różnice pomiędzy wersjami

Dodane 3 bajty ,  12 lat temu
m
robot dodaje: ar:تنضيد; zmiany kosmetyczne
m (robot dodaje: ar:تنضيد)
m (robot dodaje: ar:تنضيد; zmiany kosmetyczne)
'''Epitaksja''' (gr. ''epi'' + ''taxis'' = na uporządkowanym) – technika [[półprzewodnik]]owa wzrostu nowych warstw [[monokryształ]]u na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej [[sieć krystaliczna|sieci krystalicznej]] podłoża.
Opracował ją w [[1957]] roku N. N. Sheftal z zespołem.
Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od [[domieszkowanie|domieszkowania]] podłoża.
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania [[mgła|mgły]] i wywoływania [[opad]]ów.
 
== Rodzaje epitaksji ==
 
*[[MBE]] (''Molecular Beam Epitaxy'') epitaksja z wiązek molekularnych
*[[CBE (epitaksja)|CBE]] (''Chemical Beam Epitaxy'') epitaksja z wiązki chemicznej
 
=== Zobacz też ===
*[[Jan Czochralski]]
*[[metoda Czochralskiego]]
323 456

edycji