Wersja z 00:55, 28 maj 2009 edytuj Obersachsebot (dyskusja \| edycje) 12 695 edycji m robot dodaje: ar:تنضيد ← poprzednia edycja		Wersja z 00:56, 28 maj 2009 edytuj anuluj edycję Xqbot (dyskusja \| edycje) Boty 327 507 edycji m robot dodaje: ar:تنضيد; zmiany kosmetyczne następna edycja →
Linia 1: '''Epitaksja''' (gr. ''epi'' + ''taxis'' = na uporządkowanym) – technika [[półprzewodnik]]owa wzrostu nowych warstw [[monokryształ]]u na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej [[sieć krystaliczna\|sieci krystalicznej]] podłoża. Opracował ją w [[1957]] roku N. N. Sheftal z zespołem. Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od [[domieszkowanie\|domieszkowania]] podłoża. Linia 7: Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania [[mgła\|mgły]] i wywoływania [[opad]]ów. == Rodzaje epitaksji == [[MBE]] (''Molecular Beam Epitaxy'') epitaksja z wiązek molekularnych Linia 15: [[CBE (epitaksja)\|CBE]] (''Chemical Beam Epitaxy'') epitaksja z wiązki chemicznej === Zobacz też === [[Jan Czochralski]] [[metoda Czochralskiego]]

Epitaksja: Różnice pomiędzy wersjami