EPROM: Różnice pomiędzy wersjami
| [wersja przejrzana] | [wersja przejrzana] |
Usunięta treść Dodana treść
m robot poprawia: ar:ذاكرة القراءة فقط القابلة للبرمجة والمسح |
Pamięci EPROM mogą być kasowane albo przy pomocy ultrafioletu UV-EPROM albo elektrycznie EEPROM |
||
Linia 4:
Pamięć EPROM programowana jest przy pomocy urządzenia elektronicznego, które podaje na dren tranzystora napięcie wyższe niż normalnie używane w obwodach elektronicznych (zwykle ok. 18 V, w układach cyfrowych stosuje się napięcia 3,3-5 V), zdolne do chwilowego przebicia warstwy izolacyjnej wokół bramki pamiętającej. Programowanie układu polega na przebiciu cienkiej warstwy izolatora i wpuszczeniu do bramki pamiętającej określonego [[ładunek elektryczny|ładunku elektrycznego]]. Jego obecność na stałe zatyka tranzystor, niezależnie od stanu drugiej bramki. Skasowanie pamięci polega na odprowadzeniu ładunku z bramki.
Raz zapisana, pamięć EPROM może zostać skasowana jedynie przez wystawienie jej na działanie silnego światła (UV-EPROM)[[ultrafiolet]]owego (wymagana [[długość fali]]: 253,7 [[nanometr|nm]]), które [[Jonizacja|jonizuje]] izolator umożliwiając odpłynięcie zgromadzonego ładunku, lub elektrycznie (EEPROM). Pamięci EPROM wielokrotnego programowania można rozpoznać po przeźroczystym okienku ze [[szkło|szkła]] [[kwarc]]owego na górze układu, przez które widać kość krzemową i które umożliwia dostęp światła ultrafioletowego w razie konieczności skasowania. Istnieją wersje jednokrotnego programowania (OTP), które nie posiadają okienka kasowania a układ krzemowy jest zamontowany w obudowie z tworzywa sztucznego. Istotną cechą tego rozwiązania jest znacznie niższa cena układu wynikająca z niższego kosztu samej obudowy.
Pamięć EPROM przechowuje dane przez około dziesięć do dwudziestu lat. Pozwala na około tysiąc cykli zapisu i dowolną liczbę cykli odczytu. Aby ochronić pamięć przed przypadkowym skasowaniem okienko musi być zawsze zasłonięte.
| |||