Dioda tunelowa: Różnice pomiędzy wersjami

Taką charakterystykę uzyskuje się w [[złącze p-n|złączach]] silnie [[Domieszkowanie|domieszkowanych]], bowiem jest w nich możliwe [[Zjawisko tunelowe|przejście tunelowe]] nośników z [[Pasmowa teoria przewodnictwa|pasma walencyjnego]] do [[Pasmowa teoria przewodnictwa|pasma przewodzenia]] zarówno z obszaru półprzewodnika typu ''p+'' do ''n+'', jak i z obszaru ''n+'' do ''p+'', także przy polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia (porównaj ze [[zjawisko Zenera|zjawiskiem Zenera]]). Czas tunelowego przejścia nośników jest rzędu 10^-13 s, dlatego diody tego typu wykorzystuje się do wytwarzania, wzmacniania i detekcji słabych drgań wysokich częstotliwości (rzędu kilkuset gigaherców), w [[układ impulsowy|układach impulsowych]] (np. cyfrowych) oraz jako elementy aktywne [[generator drgań|generatorów]].

[[Plik:Dioda-tunelowa-rd.svg|thumb|frame|Charakterystyka prądowo-napięciowa diody tunelowej]]

* ''punkt szczytu'', określony przez napięcie <math>U_P</math> i natężenie prądu <math>I_P</math>;

* ''punkt doliny'', określony przez napięcie <math>U_V</math> i natężenie prądu <math>I_V</math>;