Dioda Gunna: Różnice pomiędzy wersjami

== Oscylator diodyz gunnadiodą Gunna ==

Zasada działania diody Gunna opiera się na [[Efekt Gunna-Petersona|efekcie Gunna]]. W niektórych materiałach (na przykład [[Arsenek galu|GaAs]] i INP), po osiągnięciu wartości progowej przez [[pole elektryczne]] w materiale ruchliwość [[Elektron|elektronów]] zmniejsza się wprost proporcjonalnie do zwiększenia [[Pole elektryczne|pola elektrycznego]] czego skutkiem jest powstanie ujemnej rezystancji. Urządzenie tak wykonane daje możliwość wytwarzania drgań mikrofalowych, których wartość częstotliwości zależy od właściwości próbki materiału użytego w procesie technologicznym, nie zaś od czynników zewnętrznych. Gdy natężenie pola elektrycznego w krysztale [[Arsenek galu|arsenku galu]] osiągnie wartość krytyczną na [[Elektroda|elektrodzie]] ujemnej, wtedy tworzony jest obszar z niską ruchliwością [[Elektron|elektronów]] (silne [[pole elektryczne]]). Obszar ten przemieszcza się z prędkością odpowiadającą średniej prędkości [[Elektron|elektronów]] w kierunku dodatniej [[Elektroda|elektrody]]. Po dotarciu do [[Elektroda|elektrody]] dodatniej na ujemnej [[Elektroda|elektrodzie]] następuje kolejne tworzenie się obszaru o małej ruchliwości [[Elektron|elektronów]] i silnym [[Pole elektryczne|polu elektrycznym]]. Proces kolejnego tworzenia się obszaru o małej ruchliwości [[Elektron|elektronów]] następuje cyklicznie, dzięki czemu są wytwarzane drgania, których [[częstotliwość]] może dochodzić do 100 GHz.<ref>{{Cytuj|autor=John Battiscombe Gunn|tytuł=Microwave Oscillation of Current in III-V Semiconductors|czasopismo=Solid State Commun 1 88|data=1963}}</ref>