Model MASTAR tranzystora MOS: Różnice pomiędzy wersjami

| nazwisko3=Denat

| imię3=C

| rok=May 14-15, 1993

| tytuł="'''A Model for Analog Simulation of Subthreshold, Saturation and Weak Avalanche Regions in MOSFETs'''"

| nazwisko5=Hennion

| imię5=B

| rok=Dec. 11-14, 1994

| tytuł="'''A new analog/digital CAD model for sub-halfmicron MOSFETs'''"

| nazwisko2=Marciniak

| imię2=W

| rok=Nov 1986

| tytuł="'''A new approach to threshold voltage modelling of short-channel MOSFETS'''"

| nazwisko3=Pedron

| imię3=T

| rok=March 1988

| tytuł="'''The voltage-doping transformation: a new approach to the modeling of MOSFET short-channel effects'''"