Model MASTAR tranzystora MOS: Różnice pomiędzy wersjami
| [wersja przejrzana] | [wersja przejrzana] |
Usunięta treść Dodana treść
m Poprawiam szablon cytowania |
Rescuing 2 sources and tagging 0 as dead.) #IABot (v2.0.8 |
||
Linia 51:
| oznaczenie=9 (3)
| strony=p.109-112
}}</ref>. Cechą modelu MASTAR jest dobra dokładność oraz ciągłość charakterystyki I-V wraz z pochodnymi we wszystkich zakresach polaryzacji. Model został zaimplementowany w niektórych programach wspomagających projektowanie układów elektronicznych <ref>[http://www.silvaco.com/tech_lib/simulationstandard/1996/may/a3/a3.html Modeling MOS Devices Using the MASTAR Model with UTMOST III]</ref>, lecz nie jest tak rozpowszechniony jak modele [http://legwww.epfl.ch/ekv EKV], [http://home.hiroshima-u.ac.jp/usdl/HiSIM.html HiSIM], [https://web.archive.org/web/20071017140132/http://pspmodel.asu.edu/ PSP], [http://www-device.eecs.berkeley.edu/~bsim3 BSIM]. Jest stosowany przez komitet [http://www.itrs.net/about.html ITRS] (ang. <u>I</u>nternational <u>T</u>echnology <u>R</u>oadmap for <u>S</u>emiconductors) do opracowania prognoz rozwoju konstrukcji tranzystorów MOS.
== Zobacz też ==
Linia 63:
*[http://legwww.epfl.ch/ekv Główna strona modelu EKV]
*[http://home.hiroshima-u.ac.jp/usdl/HiSIM.html Główna strona modelu HiSIM]
*[https://web.archive.org/web/20071017140132/http://pspmodel.asu.edu/ Główna strona modelu PSP]
*[http://www-device.eecs.berkeley.edu/~bsim3 Główna strona modeli BSIM3,BSIM4]
| |||