Wikipedia

Stanisław Krukowski (fizyk)

polski fizyk (fizyka teoretyczna)

Stanisław Adam Krukowski (ur. 1 kwietnia 1956 w Zakłodziu) – polski fizyk teoretyczny, profesor nauk fizycznych, naukowiec związany z Instytutem Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk oraz Interdyscyplinarnym Centrum Modelowania Matematycznego i Komputerowego Uniwersytetu Warszawskiego. Zajmuje się głównie fizyką materii skondensowanej.

Stanisław Krukowski
Data i miejsce urodzenia

1 kwietnia 1956
Zakłodzie

Profesor nauk fizycznych
Specjalność: fizyka teoretyczna, fizyka półprzewodników
Alma Mater

Uniwersytet Warszawski

Profesura

21 października 2003[1]

Nauczyciel akademicki, badacz
Uczelnia

Politechnika Warszawska
Uniwersytet Kardynała Stefana Wyszyńskiego
Interdyscyplinarne Centrum Modelowania Matematycznego i Komputerowego Uniwersytetu Warszawskiego

Instytut

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

Strona internetowa

Życiorys

edytuj

W 1980 ukończył studia na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego. Doktorat obronił w 1986 roku w Instytucie Fizyki Polskiej Akademii Nauk. Stopień doktora habilitowanego uzyskał w 1997 roku w Instytucie Fizyki Polskiej Akademii Nauk. Nominację profesorską odebrał w 2003 roku.

Od 1986 roku pracuje w Instytucie Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk.

W latach 1988–1990 pracował naukowo w Center for Microgravity and Materials Research, University of Alabama in Huntsville w Stanach Zjednoczonych, a następnie w 1993 roku odbył staż naukowy na Uniwersytecie w Montpellier II.

Dorobek naukowy

edytuj

Prof. Stanisław Krukowski jest autorem ponad 180 publikacji[2] w renomowanych czasopismach naukowych oraz dwóch rozdziałów w monografiach naukowych[3][4]. Promotor pięciu prac doktorskich.

Do najważniejszych wyników naukowych prof. Stanisława Krukowskiego należy:

  • obserwacja fal kapilarnych na powierzchni 2-D kryształu Kossela - symulacja Monte Carlo[5]
  • sformułowanie kryterium przejścia fraktal-kryształ dla przypadku wzrostu 2-D oraz weryfikacja Monte Carlo[6]
  • sformułowanie kryterium dla tworzenia gałęzi bocznych dendrytów w przypadku wzrostu 2-D[7]
  • mikroskopowy model rozpuszczania azotu molekularnego w ciekłych metalach[8]
  • mikroskopowy model adsorpcji tlenu na powierzchni W(110)[9]
  • mikroskopowy model rozpuszczania tlenu w ciekłych metalach grupy III: (Al, Ga & In)[10]
  • sformułowanie mikroskopowego modelu entropii sublimacji ciał stałych[11]
  • równanie stanu azotu w ciśnieniach do 30 GPa –symulacje metoda dynamiki molekularnej[12]
  • wyznaczenie własności azotu w ciśnieniach do 30 GPa (równanie stanu, lepkość) za pomocą metody dynamiki molekularnej[13][14][15]
  • sformułowanie metody rozwiązywania równania Poissona dla slabu przez zastosowanie poprawki Laplace’a[16]
  • odkrycie efektu Starka dla stanów powierzchniowych[17]
  • wyznaczenie własności studni kwantowych GaN/AlN i InN/GaN, (pól elektrycznych, warstwy dipolowej ) za pomocą metod ab initio[18][19][20][21][22]
  • odkrycie zależności energii adsorpcji od położenia poziomu Fermiego na powierzchniach półprzewodników spowodowanej transferem ładunku pomiędzy stanami powierzchniowymi a wnętrzem półprzewodnika[23][24]
  • wyznaczenie spontanicznej polaryzacji azotków przez modelowanie slabów w kompensującym zewnętrznym polu elektrycznym[25]
  • sformułowanie teorii termalizacji adsorbatu poprzez tunelowanie elektronów[26]
  • zaproponowanie nowej metody analizy sygnału TRPL opartej na chwilowym czasie relaksacji[27]
  • potwierdzenie postawania ładunku w metodzie polaryzacji domieszkowej oraz kryterium powstawania ładunku ruchomego[28][29]
  • sformułowanie nowego modelu dynamiki makrostopni podczas wzrostu kryształu[30]

Powyższe wyniki zostały otrzymane razem z współpracownikami, którzy są współautorami zacytowanych prac.

Funkcje pełnione w społeczności naukowej

edytuj

1986 - Członek Komisji Rewizyjnej Warszawskiego Oddziału Polskiego Towarzystwa Fizycznego

1999 - 2001 - Zastępca przewodniczącego Sekcji Kryształów Objętościowych Polskiego Towarzystwa Wzrostu Kryształów (PTWK)

2000 - 2002 - Członek European High Pressure Research Group (EHPRG)

2001 - 2007 - Sekretarz International Association for Advancement of High Pressure Research and Technology (AIRAPT)

2005 - 2007 - Członek Executive Committee of International Association for Advancement of High Pressure Research and Technology (AIRAPT)

2004 - 2007 - Prezes Sekcji Kryształów Objętościowych Polskiego Towarzystwa Wzrostu Kryształów (PTWK)

2007 - 2019 - Członek Executive Committee of International Organization on Crystal Growth (IOCG)

2007 - 2013 - Członek Komitetu Krystalografii Polskiej Akademii Nauk (KK PAN)

2010 - 2013 - Przewodniczący Sekcji Kryształów Objętościowych Polskiego Towarzystwa Wzrostu Kryształów (PTWK)

od 2019 - Sekretarz International Organization on Crystal Growth (IOCG)

od 2019 - Przewodniczący Sekcji Kryształów Objętościowych Polskiego Towarzystwa Wzrostu Kryształów (PTWK)

od 2003 roku Członek Rady Naukowej Instytutu Wysokich Ciśnień PAN

Przypisy

edytuj
  1. ↑ M.P. z 2003 r. nr 52, poz. 813
  2. ↑ Stanisław Krukowski - lista publikacji [online], www.unipress.waw.pl [dostęp 2023-02-17].
  3. ↑ Pierre Ruterana, Martin Albrecht, Jörg Neugebauer (red.), Nitride Semiconductors: Handbook on Materials and Devices, wyd. 1, Wiley, 26 marca 2003, DOI: 10.1002/3527607641, ISBN 978-3-527-40387-5 [dostęp 2023-02-17] (ang.).
  4. ↑ Izabella Grzegory i inni, The homoepitaxial challenge: GaN crystals grown at high pressure for laser diodes and laser diode arrays, 22 sierpnia 2013, DOI: 10.1093/acprof:oso/9780199681723.003.0002 [dostęp 2023-02-17] (ang.).
  5. ↑ Stanislaw Krukowski, Franz Rosenberger, Evolution of equilibrium forms of a two-dimensional Kossel crystal in a vapor diffusion field: A Monte Carlo simulation, „Physical Review B”, 49 (18), 1994, s. 12464–12474, DOI: 10.1103/PhysRevB.49.12464 [dostęp 2023-02-17].
  6. ↑ S. Krukowski, J.C. Tedenac, Fractal to compact transition during growth of 2D Kossel crystal in vapor diffusion field, „Journal of Crystal Growth”, 160 (1), 1996, s. 167–176, DOI: 10.1016/0022-0248(95)00892-6, ISSN 0022-0248 [dostęp 2023-02-17] (ang.).
  7. ↑ S Krukowski, J. C Tedenac, Surface diffusion contribution to dendrite sidebranching during growth of 2D Kossel crystal from the vapor, „Journal of Crystal Growth”, 203 (1), 1999, s. 269–285, DOI: 10.1016/S0022-0248(99)00095-0, ISSN 0022-0248 [dostęp 2023-02-17] (ang.).
  8. ↑ Z. Romanowski i inni, Surface reaction of nitrogen with liquid group III metals, „The Journal of Chemical Physics”, 114 (14), 2001, s. 6353–6363, DOI: 10.1063/1.1355984, ISSN 0021-9606 [dostęp 2023-02-17].
  9. ↑ Magdalena A. Załuska-Kotur i inni, Twin spin model of surface phase transitions in O/W(110), „Physical Review B”, 65 (4), 2001, s. 045404, DOI: 10.1103/PhysRevB.65.045404 [dostęp 2023-02-17].
  10. ↑ S Krukowski i inni, High-nitrogen-pressure growth of GaN single crystals: doping and physical properties, „Journal of Physics: Condensed Matter”, 13 (40), 2001, s. 8881–8890, DOI: 10.1088/0953-8984/13/40/302, ISSN 0953-8984 [dostęp 2023-02-17].
  11. ↑ Stanislaw Krukowski, Microscopic theory of some thermodynamic properties of the solid–vapor transition, „The Journal of Chemical Physics”, 117 (12), 2002, s. 5866–5875, DOI: 10.1063/1.1502654, ISSN 0021-9606 [dostęp 2023-02-17].
  12. ↑ Stanisław Krukowski, Paweł Strąk, Equation of state of nitrogen (N2) at high pressures and high temperatures: Molecular dynamics simulation, „The Journal of Chemical Physics”, 124 (13), 2006, s. 134501, DOI: 10.1063/1.2185096, ISSN 0021-9606 [dostęp 2023-02-17].
  13. ↑ Stanisław Krukowski i inni, Adsorption and dissolution of nitrogen in lithium—QM DFT investigation, „Journal of Crystal Growth”, 304 (2), 2007, s. 299–309, DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.03.008, ISSN 0022-0248 [dostęp 2023-02-17] (ang.).
  14. ↑ Paweł Strąk, Stanisław Krukowski, Molecular nitrogen-N2 properties: The intermolecular potential and the equation of state, „The Journal of Chemical Physics”, 126 (19), 2007, s. 194501, DOI: 10.1063/1.2733651, ISSN 0021-9606 [dostęp 2023-02-26].
  15. ↑ Paweł Strąk, Stanisław Krukowski, Determination of Shear Viscosity of Molecular Nitrogen (N 2 ): Molecular Dynamic Hard Rotor Methodology and the Results, „The Journal of Physical Chemistry B”, 115 (15), 2011, s. 4359–4368, DOI: 10.1021/jp111071v, ISSN 1520-6106 [dostęp 2023-02-26].
  16. ↑ Stanisław Krukowski, Paweł Kempisty, Paweł Strąk, Electrostatic condition for the termination of the opposite face of the slab in density functional theory simulations of semiconductor surfaces, „Journal of Applied Physics”, 105 (11), 2009, s. 113701, DOI: 10.1063/1.3130156, ISSN 0021-8979 [dostęp 2023-02-17].
  17. ↑ Paweł Kempisty i inni, Ab initio studies of electronic properties of bare GaN(0001) surface, „Journal of Applied Physics”, 106 (5), 2009, s. 054901, DOI: 10.1063/1.3204965, ISSN 0021-8979 [dostęp 2023-02-17].
  18. ↑ Zbigniew Romanowski i inni, Density Functional Theory (DFT) Simulations and Polarization Analysis of the Electric Field in InN/GaN Multiple Quantum Wells (MQWs), „The Journal of Physical Chemistry C”, 114 (34), 2010, s. 14410–14416, DOI: 10.1021/jp104438y, ISSN 1932-7447 [dostęp 2023-02-17] (ang.).
  19. ↑ Pawel Strak i inni, Principal physical properties of GaN/AlN multiquantum well systems determined by density functional theory calculations, „Journal of Applied Physics”, 113 (19), 2013, s. 193706, DOI: 10.1063/1.4805057, ISSN 0021-8979 [dostęp 2023-02-17].
  20. ↑ A. Kaminska i inni, Correlation of optical and structural properties of GaN/AlN multi-quantum wells—Ab initio and experimental study, „Journal of Applied Physics”, 119 (1), 2016, s. 015703, DOI: 10.1063/1.4939595, ISSN 0021-8979 [dostęp 2023-02-26].
  21. ↑ A. Kaminska i inni, High pressure and time resolved studies of optical properties of n-type doped GaN/AlN multi-quantum wells: Experimental and theoretical analysis, „Journal of Applied Physics”, 120 (9), 2016, s. 095705, DOI: 10.1063/1.4962282, ISSN 0021-8979 [dostęp 2023-02-26].
  22. ↑ Agata Kaminska i inni, Wurtzite quantum well structures under high pressure, „Journal of Applied Physics”, 128 (5), 2020, s. 050901, DOI: 10.1063/5.0004919, ISSN 0021-8979 [dostęp 2023-02-26].
  23. ↑ Stanisław Krukowski, Paweł Kempisty, Paweł Strąk, Fermi level influence on the adsorption at semiconductor surfaces—ab initio simulations, „Journal of Applied Physics”, 114 (6), 2013, s. 063507, DOI: 10.1063/1.4817903, ISSN 0021-8979 [dostęp 2023-02-26].
  24. ↑ Stanisław Krukowski i inni, Fermi level pinning and the charge transfer contribution to the energy of adsorption at semiconducting surfaces, „Journal of Applied Physics”, 115 (4), 2014, s. 043529, DOI: 10.1063/1.4863338, ISSN 0021-8979 [dostęp 2023-02-26].
  25. ↑ Pawel Strak i inni, Ab initio and experimental studies of polarization and polarization related fields in nitrides and nitride structures, „AIP Advances”, 7 (1), 2017, s. 015027, DOI: 10.1063/1.4974249 [dostęp 2023-02-26].
  26. ↑ Pawel Strak i inni, Dissipation of the excess energy of the adsorbate-thermalization via electron transfer, „Physical Chemistry Chemical Physics”, 19 (13), 2017, s. 9149–9155, DOI: 10.1039/C7CP00235A, ISSN 1463-9076 [dostęp 2023-02-26] (ang.).
  27. ↑ Pawel Strak i inni, Instantaneous decay rate analysis of time resolved photoluminescence (TRPL): Application to nitrides and nitride structures, „Journal of Alloys and Compounds”, 823, 2020, s. 153791, DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.153791 [dostęp 2023-02-26] (ang.).
  28. ↑ Ashfaq Ahmad i inni, Polarization doping— Ab initio verification of the concept: Charge conservation and nonlocality, „Journal of Applied Physics”, 132 (6), 2022, s. 064301, DOI: 10.1063/5.0098909, ISSN 0021-8979 [dostęp 2023-02-26] (ang.).
  29. ↑ Ashfaq Ahmad i inni, Polarization Doping in a GaN-InN System—Ab Initio Simulation, „Materials”, 16 (3), 2023, s. 1227, DOI: 10.3390/ma16031227, ISSN 1996-1944, PMID: 36770233, PMCID: PMC9920681 [dostęp 2023-02-26] (ang.).
  30. ↑ Stanislaw Krukowski i inni, Macrosteps dynamics and the growth of crystals and epitaxial layers, „Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials”, 68 (4), 2022, s. 100581, DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2022.100581 [dostęp 2023-02-26] (ang.).
Źródło: „https://pl.wikipedia.org/w/index.php?title=Stanisław_Krukowski_(fizyk)&oldid=70740982”