Andrzej Turos

polski fizyk

Andrzej Turos – profesor nauk fizycznych, zajmuje się fizyką materiałów, a zwłaszcza zastosowaniami implantacji jonów i analizą powierzchni przy pomocy technik jonowych takich jak RBS i NRA. Pracuje w Narodowym Centrum Badań Jądrowych.

Andrzej Turos
Państwo działania

 Polska

Data i miejsce urodzenia

21.02.1937
Sokołów Podlaski

Profesor nauk fizycznych
Specjalność: fizyka techniczna
Alma Mater

Politechnika Warszawska Wydział Łączności

Doktorat

1969
Instytut Badań Jądrowych

Habilitacja

1978
Instytut Badań Jądrowych

Profesura

1992

Instytut

Problemów Jądrowych

Stanowisko

Kierownik Zakładu Reakcji Jądrowych 1986-1992

Instytut

Technologii Materiałów Elektronicznych

Stanowisko

Kierownik Zakładu Badań Mikrostrukturalnych 1994-2017, Kierownik Laboratorium Badań Strukturalnych i Charakteryzacji Materiałów 2017-2019

Instytut

Narodowe Centrum Badań Jądrowych

Życiorys edytuj

W roku 1961 ukończył studia na Politechnice Warszawskiej na Wydziale Łączności, specjalność Elektroniczna Aparatura Jądrowa. Pracę doktorską pod tytułem „Badanie warstw powierzchniowych metodą kulombowskiego rozpraszania ciężkich cząstek naładowanych” obronił w Instytucie Badań Jądrowych w 1969 roku. W roku 1978 na podstawie rozprawy „Mikroanaliza Jądrowa” otrzymał w Instytucie Badań Jądrowych stopień naukowy doktora habilitowanego. W roku 1992 uzyskał tytuł profesora. W latach 1986–1992 pełnił funkcję Kierownika Zakładu Reakcji Jądrowych w Instytucie Problemów Jądrowych. Pozostając w Instytucie Problemów Jądrowych przekształconym w roku 2011 w Narodowe Centrum Badań Jądrowych, w latach 1994–2019 pracował równolegle w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych w Warszawie gdzie w latach 1994–2017 pełnił funkcję kierownika Zakładu Badań Mikrostrukturalnych. W okresie 2017-2019 był Kierownikiem Laboratorium Badań Strukturalnych i Charakteryzacji Materiałów. Pracuje w Narodowym Centrum Badań Jądrowych.

Zainteresowania naukowe edytuj

Jego zainteresowania naukowe obejmują: fizykę materiałów, a w szczególności fizykę półprzewodników. Jest jednym z pionierów, w skali światowej, zastosowań implantacji jonów wysokich energii do modyfikacji materiałów oraz metod analizy warstw powierzchniowych materiałów w oparciu o kulombowskie rozpraszanie wysokoenergetycznych lekkich jonów (RBS – Rutherford Backscattering Spectroscopy) i reakcji jądrowych (NRA – Nuclear Reaction Analysis). W jego dorobku szczególnie ważne znaczenie zajmuje opracowanie metod analizy widm kanałowania jonów metodą symulacji komputerowych wykorzystujących metodę Monte Carlo.

Praca naukowa edytuj

Pracował jako profesor wizytujący w licznych laboratoriach zagranicznych takich jak: California Institute of Technology (USA), Uniwersytet Paryski, Centrum Badań Jądrowych w Karlsruhe (Niemcy)[1], Europejskim Instytucie Pierwiastków Transuranowych i Narodowym Centrum Badań Materiałowych w Brindisi (Włochy)[2]. Jest autorem bądź współautorem ponad 360 publikacji w czasopismach naukowych o zasięgu międzynarodowym[3]. Był promotorem 15 rozpraw doktorskich.

Przypisy edytuj