Dioda elektroluminescencyjna: Różnice pomiędzy wersjami
[wersja przejrzana] | [wersja przejrzana] |
Usunięta treść Dodana treść
m podzielenie dłuższego zdania, jęz. |
|||
Linia 33:
Działanie diody elektroluminescencyjnej (LED) opiera się na zjawisku rekombinacji nośników ładunku ([[Rekombinacja (fizyka)|rekombinacja promienista]]). Zjawisko to zachodzi w półprzewodnikach wówczas, gdy elektrony, przechodząc z wyższego [[poziom energetyczny|poziomu energetycznego]] na niższy, zachowują swój [[pseudopęd]]. Jest to tak zwane przejście proste. Podczas tego przejścia energia elektronu zostaje zamieniona na [[kwant]] promieniowania elektromagnetycznego. Przejścia tego rodzaju dominują w półprzewodnikach z prostym układem pasmowym, w którym minimum pasma przewodnictwa i wierzchołkowi [[Pasmowa teoria przewodnictwa|pasma walencyjnego]] odpowiada ta sama wartość [[pęd (fizyka)|pędu]].
Półprzewodnikiem cechującym się tego rodzaju przejściami jest [[arsenek galu]] (GaAs) i między innymi dzięki tej własności głównie on jest wykorzystywany do produkcji źródeł promieniowania.
:: <math>\eta_{qw}=\frac{N_{fot}}{N_{noso}}=\frac{\frac{P_{prom}}{h \nu}}{\frac{I}{e}},</math>
|