Chemiczne osadzanie z fazy gazowej: Różnice pomiędzy wersjami
| [wersja przejrzana] | [wersja przejrzana] |
Usunięta treść Dodana treść
m →Technika PECVD/PACVD: lit. |
m →Technika PECVD/PACVD: dodany schemat reaktora PECVD, ilustracja |
||
Linia 14:
=== Technika PECVD/PACVD ===
Chemiczne osadzanie z fazy gazowej ze wspomaganiem plazmowym (''PECVD ='' ''plasma enchanced chemical vapour deposition,'' rzadziej używana nazwa: ''PACVD = plasma assisted chemcal vapour deposition'') jest techniką bardzo atrakcyjną ze względu na niską temperaturę procesu, możliwość osadzania nierównowagowych faz oraz lepszą kontrolę nad stechiometrią i czystością powłok.
[[Plik:PlasmaCVD.PNG|alt=reaktor PECVD|mały|Schemat reaktora PECVD.]]
Niską temperaturę procesu osadzania warstw uzyskuje się dzięki wzbudzeniu przy pomocy plazmy cząstek mieszaniny gazowej do energii zgodnej z termicznym wzbudzeniem. Wówczas nierównowagowa reakcja, w wyniku której osadza się żądany produkt, może wystąpić w temperaturze o wiele niższej (orientacyjnie 200-600 °C). Typowy reaktor PECVD pokazano poniżej.
| |||