Tranzystor polowy złączowy: Różnice pomiędzy wersjami

Gdy napięcie bramka-źródło (<math>U_{GS}</math>) jest równe zero, wówczas nośniki większościowe płyną bez przeszkód - prąd dla danego napięcia dren-źródło (<math>U_{DS}</math>) osiąga wartość maksymalną oznaczaną symbolem <math>I_{DSS}</math>. Gdy natomiast napięcie bramka-źródło zacznie rosnąć (a dokładniej jego wartość bezwzględna), wówczas w złączu p-n, które jest spolaryzowane zaporowo pojawi się '''obszar ładunku przestrzennego''' (obszar zubożały). Obszar ten wnika w kanał, a że praktycznie nie ma w nim swobodnych nośników (charakteryzuje się b.bardzo dużą [[rezystancja|rezystancją]]), toteż czynny przekrój kanału zmaleje. Efektem tego jest zwiększenie rezystancji kanału, a więc ograniczenie prądu dren-źródło.

Prąd drenu jest funkcją napięcia bramka-źródło i jego zmiana następuje na skutek zmian pola elektrycznego, co nazywane jest '''efektem polowym'''; zależność tą przedstawia rysunek.

* '''liniowym''' ('''triodowym''') - wówczas prąd drenu liniowo zależy od napięcia dren-źródło; tranzystor zachowuje się jak [[rezystor]] półprzewodnikowy;

* '''nasycenia''' - wówczas prąd drenu zależy praktycznie wyłącznie od napięcia bramka-źródło; napięcie dren-źródło musi przekroczyć określoną wartość oznaczaną <math>U_{DS_{sat}}</math>.