Spiekanie: Różnice pomiędzy wersjami
| [wersja przejrzana] | [wersja przejrzana] |
Usunięta treść Dodana treść
m WP:SK, drobne redakcyjne |
m Wspomagane przez bota ujednoznacznienie (tyle do zrobienia): Proces; zmiany kosmetyczne |
||
Linia 2:
== Dyfuzja powierzchniowa ==
W przypadku [[dyfuzja powierzchniowa|dyfuzji powierzchniowej]] mamy do czynienia z chaotycznym ruchem pojedynczych atomów lub [[defekt powierzchniowy|defektów]] znajdujących się na powierzchni ziaren. Zakres dyfuzji powierzchniowej i jej wpływ na przebieg spiekania zależy nie tylko od temperatury i znacznego [[rozwinięcie powierzchni|rozwinięcia powierzchni]] w [[układ]]zie. Decyduje o tym także chemiczny stan powierzchni ziaren. Rola tego [[
== Przegrupowanie ziaren ==
Linia 16:
* spiekanie w obecności cieczy dobrze zwilżającej i najczęściej zdolnej do rozpuszczania w sobie fazy stałej.
Jedynie ciecze charakteryzujące się małą wartością kąta dwuściennego i kąta zwilżania w stosunku do materiału fazy stałej mogą efektywnie wspomagać proces zagęszczania. W układach, w których ciecz wykazuje dużą wartość [[kąt dwuścienny|kąta dwuściennego]] (>60˚), tworzą się odizolowane wtrącenia, które mogą [[modyfikacja|modyfikować]] rozrost ziaren, lecz nie przyspieszają zagęszczania [[polikryształ]]u. Pojawienie się fazy ciekłej w spiekanych [[układ wieloskładnikowy|układach wieloskładnikowych]] może mieć wiele przyczyn, z których ważniejsze to stopienie się jednego, niskotopliwego, ze [[składnik]]ów oraz utworzenie niskotopliwej mieszaniny [[eutektyka|eutektycznej]]. W obecności fazy ciekłej zagęszczenie spiekających się układów do wysokich [[gęstość|gęstości]] jest z reguły szybsze niż przy spiekaniu w [[faza stała|fazie stałej]]. Preferencyjne rozpuszczanie się w [[ciecz]]y ziaren o małych rozmiarach, sprawia, iż [[roztwór]] w stosunku do ziaren dużych staje się przesycony, co prowadzi do [[krystalizacja|krystalizacji]] materiału fazy stałej na ich powierzchniach z równoczesnym dopasowaniem [[kryształ]]ów sąsiadujących ziaren. Tym sposobem przestrzeń pomiędzy dużymi ziarnami, początkowo wypełniona ziarnami małymi i cieczą, teraz zostaje zajęta nowo wykrystalizowanym litym materiałem fazy stałej. Dodatkowo, w przypadku [[zwilżanie|zwilżania]] ziaren przez [[ciecz]] i gdy faza ciekła występuje w postaci warstewek rozdzielających stałe ziarna, a [[promień krzywizny]] [[menisk]]u jest mały, na granicy rozdziału ciecz - gaz pojawiają się znaczne siły [[kapilara|kapilarne]].
W chwili obecnej nie można jednoznacznie stwierdzić, który z opisywanych wyżej dwóch mechanizmów spiekania z udziałem [[faza ciekła|fazy ciekłej]], lepiej odzwierciedla rzeczywistość. Należy przyjąć, że oba
== Przenoszenie masy poprzez fazę gazową ==
Linia 31:
== Spiekanie mikrofalowe ==
W metodzie tej wykorzystuje się działanie
== Zobacz też ==
* [[metalurgia proszków]]
== Literatura ==
* Pampuch R., Haberko K., Kordek M.: ''Nauka o procesach ceramicznych''. PWN, Warszawa 1992
* Lis J., Pampuch R.: ''Spiekanie''. Wyd. AGH, Kraków 2000
| |||