Model MASTAR tranzystora MOS: Różnice pomiędzy wersjami
| [wersja nieprzejrzana] | [wersja przejrzana] |
Usunięta treść Dodana treść
m Usunięcie błędnych pogrubień |
źródła/przypisy, -interwiki w treści |
||
Linia 31:
| oznaczenie=
| strony=p.165-168
}}</ref> jest obliczeniowym modelem tranzystora [
| nazwisko=Skotnicki
| imię=T.
Linia 57:
}}</ref>. Cechą modelu MASTAR jest dobra dokładność oraz ciągłość charakterystyki I-V wraz z pochodnymi we wszystkich zakresach polaryzacji. Model został zaimplementowany w niektórych programach wspomagających projektowanie układów elektronicznych <ref>[http://www.silvaco.com/tech_lib/simulationstandard/1996/may/a3/a3.html Modeling MOS Devices Using the MASTAR Model with UTMOST III]</ref>, lecz nie jest tak rozpowszechniony jak modele [http://legwww.epfl.ch/ekv EKV], [http://home.hiroshima-u.ac.jp/usdl/HiSIM.html HiSIM], [http://pspmodel.asu.edu PSP], [http://www-device.eecs.berkeley.edu/~bsim3 BSIM]. Jest stosowany przez komitet [http://www.itrs.net/about.html ITRS] (ang. <u>I</u>nternational <u>T</u>echnology <u>R</u>oadmap for <u>S</u>emiconductors) do opracowania prognoz rozwoju konstrukcji tranzystorów MOS.
==
*[[Model EKV tranzystora MOSFET]]
{{Przypisy}}
== Linki zewnętrzne ==
*[http://www.itrs.net/about.html Główna strona ITRS]
| |||