Tranzystor polowy: Różnice pomiędzy wersjami
| [wersja przejrzana] | [wersja przejrzana] |
Usunięta treść Dodana treść
WP:SK zbędne br |
|||
Linia 36:
=== Tranzystory polowe z izolowaną bramką ===
W tranzystorach tego typu bramka jest odizolowana od kanału warstwą dielektryka. Tranzystory te posiadają przynajmniej trzy elektrody: źródło (S), bramkę (G) i dren (D), często mają również czwartą elektrodę: podłoże (B). Wykonuje się je głównie w [[układ scalony|układach scalonych]], rzadziej natomiast jako [[element dyskretny|elementy dyskretne]] – są to głównie tranzystory mocy, np. pracujące jako szybkie przełączniki w zasilaczach impulsowych. W przypadku konstrukcji układów scalonych [[CMOS]] może istnieć więcej niż jedna bramka, co występuje także w niektórych elementach dyskretnych, np. tranzystorze typu BF966.
▲Tranzystory te posiadają przynajmniej trzy elektrody: źródło (S), bramkę (G) i dren (D), często mają również czwartą elektrodę: podłoże (B). Wykonuje się je głównie w [[układ scalony|układach scalonych]], rzadziej natomiast jako [[element dyskretny|elementy dyskretne]] – są to głównie tranzystory mocy, np. pracujące jako szybkie przełączniki w zasilaczach impulsowych. W przypadku konstrukcji układów scalonych [[CMOS]] może istnieć więcej niż jedna bramka, co występuje także w niektórych elementach dyskretnych, np. tranzystorze typu BF966.<br> Ze względu na technologię wykonania rozróżnia się tranzystory:
Ze względu na technologię wykonania rozróżnia się tranzystory:
* MISFET (''Metal-Insulator-Semiconductor FET'') wykonane z półprzewodnika monokrystalicznego; ponieważ tutaj najczęściej rolę izolatora pełni [[ditlenek krzemu]] SiO<sub>2</sub>, toteż tranzystory te częściej nazywa się [[MOSFET]] (''Metal-Oxide-Semiconductor FET'', MOSFET) lub krócej MOS. Dodatkowo tranzystory MOS dzieli się na:
** tranzystory z kanałem zubożanym, w których przy braku napięcia bramka-źródło kanał jest otwarty;
| |||