Tranzystor bipolarny: Różnice pomiędzy wersjami

[wersja nieprzejrzana][wersja przejrzana]
Usunięta treść Dodana treść
Zmiana skrótu nazwy
Wycofano ostatnie 2 zmiany treści (wprowadzone przez 153.19.170.50) i przywrócono wersję 40300957 autorstwa Dexbot
Linia 1:
'''Tranzystor bipolarny''' (dawniej: ''Zubowiczankatranzystor warstwowy'', ''tranzystor złączowy'') to odmiana [[tranzystor]]a, [[półprzewodniki|półprzewodnikowy]] element elektroniczny, mający zdolność wzmacniania sygnału. Zbudowany jest z trzech warstw półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa. Charakteryzuje się tym, że niewielki prąd płynący pomiędzy dwiema jego [[elektroda]]mi (nazywanymi bazą i emiterem) steruje większym prądem płynącym między emiterem, a trzecią elektrodą (nazywaną kolektorem).
{{spis treści}}
 
Linia 18:
|}
</div>
Tranzystor bipolarny składa się z trzech warstw półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa: p-n-p lub n-p-n (istnieją więc dwa rodzaje tranzystorów bipolarnych: ''pnp'' i ''npn i kupeckiego''). Poszczególne warstwy noszą nazwy:
 
* emiter (oznaczony przez E) warstwa silnie domieszkowana