Epitaksja z wiązek molekularnych: Różnice pomiędzy wersjami

'''Epitaksja z wiązek molekularnych''' ('''MBE''', z ang. ''molecular beam epitaxy'') – jedna z technik [[Epitaksja|epitaksji]] polegająca na osadzaniu cienkich warstw [[Półprzewodniki|półprzewodnikowych]] z wiązek molekularnych (lub atomowych) w [[próżnia bardzo wysoka UHV|ultrawysokiej próżni]] ([[ciśnienie|p]] ≤10≤ 10⁻⁷ [[paskal|Pa]]). Metoda została opracowana pod koniec lat 60. XX wieku w [[Bell Labs|Bell Telephone Laboratories]] przez J.R. Arthura i [[Alfred Cho|Alfreda Y. Cho]]. Obecnie MBE jest jedną z najszerzej stosowanych technologii wzrostu cienkich warstw półprzewodników, [[Metale|metali]], [[Dielektryk|izolatorów]] i [[Nadprzewodnictwo|nadprzewodników]].