Tranzystor polowy: Różnice pomiędzy wersjami
| [wersja przejrzana] | [wersja przejrzana] |
Usunięta treść Dodana treść
m wstawiam Szablon:Kontrola autorytatywna |
m drobne redakcyjne, poprawa linków |
||
Linia 1:
[[Plik:P45N02LD.jpg|thumb|120px|Tranzystor polowy dużej mocy]]
'''Tranzystor polowy''', '''tranzystor unipolarny
== Budowa ==
Linia 19:
W zależności od typu półprzewodnika, w którym tworzony jest kanał, rozróżnia się:
* tranzystory z kanałem typu p, w którym prąd płynie od źródła do drenu,
* tranzystory z kanałem typu n, w którym prąd płynie od drenu do źródła.
Ze względu na budowę i sposób działania tranzystorów polowych, prąd bramki praktycznie nie płynie (jest rzędu mikro-, nanoamperów), dzięki temu elementy te charakteryzują się bardzo dużą [[rezystancja|rezystancją]] wejściową oraz dużą [[Transkonduktancja|transkonduktancją]].
== Typy tranzystorów polowych ==
[[Plik:klasyfikacja tranzystorow unipolarnych.svg|right|Klasyfikacja tranzystorów polowych]]
Odpowiednio do zasady działania rozróżnia się dwa główne typy tranzystorów polowych: [[Tranzystor polowy złączowy|złączowe]] (JFET, ''Junction FET'') oraz [[Tranzystor polowy z izolowaną bramką|z izolowaną bramką]] (IGFET, [[język angielski|ang.]] ''Insulated Gate FET'').
=== Tranzystory polowe złączowe ===
Linia 41:
** tranzystory z kanałem zubożanym, w których przy braku napięcia bramka-źródło kanał jest otwarty;
** tranzystory z kanałem wzbogacanym, w których przy braku napięcia bramka-źródło kanał jest całkowicie zatkany.
*[[Tranzystor cienkowarstwowy|TFT]] (''Thin Film Transistor'') wykonane z półprzewodnika polikrystalicznego. Ponieważ tranzystory tego typu są wytwarzane w taki sam sposób, jak [[układ scalony|układy scalone]] cienkowarstwowe, toteż nazywane są '''tranzystorami cienkowarstwowymi'''.
{{Wikisłownik|tranzystor polowy}}
| |||