Wersja z 01:15, 13 mar 2013 edytuj Addbot (dyskusja \| edycje) 748 218 edycji m Bot: Przenoszę 17 linków interwiki do Wikidata, znajdziesz je teraz w zasobie d:q1135540 ← poprzednia edycja		Wersja z 15:34, 2 sty 2019 edytuj anuluj edycję Masur (dyskusja \| edycje) Redaktorzy 98 911 edycji m drobne techniczne następna edycja →
Linia 1: {{dopracować\|źródła=2019-01}} '''Epitaksja''' (gr. ''epi'' + ''taxis'' = na uporządkowanym) – technika [[Półprzewodniki\|półprzewodnikowa]] wzrostu nowych warstw [[monokryształ]]u na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej [[sieć krystaliczna\|sieci krystalicznej]] podłoża. Opracował ją w [[1957]] roku N. N. Sheftal z zespołem. Linia 13 ⟶ 14: * [[VPE]] (''Vapour Phase Epitaxy'') epitaksja z fazy gazowej * [[CBE (epitaksja)\|CBE]] (''Chemical Beam Epitaxy'') epitaksja z wiązki chemicznej ~~=== Zobacz też ===~~ * [[Jan Czochralski]] * [[metoda Czochralskiego]] * [[Półprzewodniki\|półprzewodnik]] [[Kategoria:Materiałoznawstwo]]

Epitaksja: Różnice pomiędzy wersjami