Silicon on insulator: Różnice pomiędzy wersjami

Zwykle podłoża tego typu to podłoża krzemowe z warstwą izolacyjnego [[tlenek krzemu(IV)|tlenku krzemu(IV)]] i krzemu na wierzchu. Jedną z metod wytwarzania tego typu podłoży jest implantacja monokrystalicznych podłoży krzemowych tlenem tylko na określonej głębokości. Kolejnym etapem jest wygrzewanie, w wyniku, którego warstwa o zwiększonej zawartości tleny przekształca się w warstwę tlenku krzemu. W ten sposób wierzchnia warstwa krzemu zostaje odizolowana od podłoża. Ta metoda jest wykorzystywana między innymi przez [[Advanced Micro Devices|AMD]] do budowy układów o wymiarze charakterystycznym tranzystora 180 [[nanometr|nm]], 130 nm, 90 nm, 65 nm oraz 45 nm.