Tranzystor polowy: Różnice pomiędzy wersjami
| [wersja nieprzejrzana] | [wersja przejrzana] |
Usunięta treść Dodana treść
Nie podano opisu zmian Znaczniki: Wycofane Z urządzenia mobilnego Z wersji mobilnej (przeglądarkowej) |
m Wycofano edycje użytkownika 37.248.253.207 (dyskusja). Autor przywróconej wersji to 79.163.225.196. Znacznik: Wycofanie zmian |
||
Linia 1:
[[Plik:P45N02LD.jpg|thumb|150px|Tranzystor polowy dużej mocy]]
'''Tranzystor polowy''', '''tranzystor unipolarny''' ([[Język angielski|ang.]] ''Field Effect Transistor'', '''FET''') – [[tranzystor]], w którym sterowanie prądem odbywa się za pomocą [[pole elektryczne|pola elektrycznego]]. Pierwszy raz opatentowany<ref>{{cytuj stronę|url = http://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/originalDocument?FT=D&date=19270719&DB=&&CC=CA&NR=272437A&KC=A&locale=en_EP|tytuł = patent kanadyjski|data dostępu = 2015-02-05}}</ref> w 1926 roku przez [[Julius Edgar Lilienfeld|Juliusa Edgara Lilienfelda]].
== Budowa ==
[[Plik:JFET Transistor.svg|thumb|350px|Uproszczona budowa tranzystora JFET. S – źródło, G – bramka, D – dren, 1 – obszar zubożony, 2 – kanał]]
| |||