Wersja z 04:05, 4 lip 2020 edytuj 94.172.248.10 (dyskusja) →‎Zastosowania: drobne techniczne Znacznik: VisualEditor ← poprzednia edycja		Wersja z 23:09, 16 lis 2020 edytuj anuluj edycję XaxeLoled (dyskusja \| edycje) Operatorzy filtru nadużyć, Redaktorzy, Administratorzy 35 821 edycji m WP:SK+ToS+mSI.v2+Bn, drobne techniczne, int., drobne redakcyjne następna edycja →
Linia 1: '''Tranzystor bipolarny''' (dawniej: ''tranzystor warstwowy'', ''tranzystor złączowy'') to– odmiana [[tranzystor]]a, [[półprzewodniki\|półprzewodnikowy]] element elektroniczny, mający zdolność wzmacniania sygnału. Zbudowany jest z trzech warstw półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa. Charakteryzuje się tym, że niewielki prąd płynący pomiędzy dwiema jego [[elektroda]]mi (nazywanymi bazą i emiterem) steruje większym prądem płynącym między emiterem a trzecią elektrodą (nazywaną kolektorem). {{spis treści}} Linia 5: <div style="float:right"> {\| align="center" cellspacing="10" \|~~- ---~~- \| ~~Align~~align="center" \| Uproszczona struktura i symbol tranzystora '''npn''' \| ~~Align~~align="center" \| Uproszczona struktura i symbol tranzystora '''pnp''' \|~~- ---~~- \| Align="center" \| [[Plik:Tranzystor npn.svg\|150px]] \| Align="center" \| [[Plik:Tranzystor pnp.svg\|150px]] \|~~- ---~~- \| Align="center" \| [[Plik:BJT NPN symbol (case).svg\|60px]] \| Align="center" \| [[Plik:BJT PNP symbol (case).svg\|60px]] \|} </div> Tranzystor bipolarny składa się z trzech warstw półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa: p-n-p lub n-p-n (istnieją więc dwa rodzaje tranzystorów bipolarnych: ''pnp'' i ''npn''). Poszczególne warstwy noszą nazwy: * emiter (oznaczony przez E) warstwa silnie domieszkowana * baza (oznaczona przez B) warstwa cienka i słabo domieszkowana Linia 40 ⟶ 39: [[Plik:Transistor as amplifier.svg\|thumb\|160px\|Przykład tranzystora pracującego jako wzmacniacz]] [[Plik:Transistor as switch.svg\|thumb\|160px\|Przykład tranzystora pracującego jako przełącznik]] W zależności od punktu pracy tranzystor może znajdować się w czterech stanach: * Stan aktywny, w którym prąd kolektora jest ''β'' razy większy od prądu bazy. * Stan nasycenia, w którym prąd bazy jest na tyle duży, że obwód kolektora nie jest w stanie dostarczyć prądu ''β'' razy większego. Napięcie kolektor-emiter spada wtedy do niewielkiej wielkości. Linia 56 ⟶ 54: == Układy pracy == [[Plik:Common Emitter Principle.png\|thumb\|~~247x247px~~247px\|Schemat wzmacniacza napięcia zmiennego w układzie ze wspólnym emiterem]] [[Plik:~~Common_base_amplifier~~Common base amplifier.svg\|thumb\|250px\|Schemat wzmacniacza napięcia zmiennego w układzie ze wspólną bazą]]▼ ▲[[Plik:Common_base_amplifier.svg\|thumb\|250px\|Schemat wzmacniacza napięcia zmiennego w układzie ze wspólną bazą]] [[Plik:Common Collector Principle.png\|thumb\|250px\|Schemat wtórnika emiterowego (układu ze wspólnym kolektorem)]] Ze względu na sposób włączenia tranzystora do układu można wyróżnić trzy podstawowe układy jego pracy * ''wspólnego emitera'' (OE) Linia 68 ⟶ 63: === Układ wspólnego emitera === {{Osobny artykuł \| Wspólny emiter}} Wzmacniane napięcie sygnału wejściowego podawane jest pomiędzy bazę a emiter tranzystora, natomiast sygnał po wzmocnieniu odbierany jest spomiędzy kolektora a emitera. Elektroda emiter jest więc niejako ~~"wspólna"~~„wspólna” dla sygnałów wejściowego i wyjściowego – stąd nazwa układu.▼ ▲Wzmacniane napięcie sygnału wejściowego podawane jest pomiędzy bazę a emiter tranzystora, natomiast sygnał po wzmocnieniu odbierany jest spomiędzy kolektora a emitera. Elektroda emiter jest więc niejako "wspólna" dla sygnałów wejściowego i wyjściowego – stąd nazwa układu. === Układ wspólnej bazy === {{Osobny artykuł \| Wspólna baza}} Wzmacniane napięcie sygnału wejściowego podawane jest pomiędzy bazę a emiter tranzystora, natomiast sygnał po wzmocnieniu odbierany jest spomiędzy bazy i kolektora. === Układ wspólnego kolektora === {{Osobny artykuł \| Wspólny kolektor}} Wzmacniane napięcie sygnału wejściowego podawane jest pomiędzy bazę a kolektor tranzystora, natomiast sygnał po wzmocnieniu odbierany jest spomiędzy kolektora i emitera. Wzmocnienie napięciowe tego układu jest bliskie jedności, wobec czego na wyjściu wzmacniacza otrzymuje się ~~"powtórzone"~~„powtórzone” napięcie z wejścia, stąd druga powszechnie używana nazwa takich wzmacniaczy – wtórnik emiterowy.▼ ▲Wzmacniane napięcie sygnału wejściowego podawane jest pomiędzy bazę a kolektor tranzystora, natomiast sygnał po wzmocnieniu odbierany jest spomiędzy kolektora i emitera. Wzmocnienie napięciowe tego układu jest bliskie jedności, wobec czego na wyjściu wzmacniacza otrzymuje się "powtórzone" napięcie z wejścia, stąd druga powszechnie używana nazwa takich wzmacniaczy – wtórnik emiterowy. === Porównanie właściwości układów pracy === Linia 114 ⟶ 106: == Podział tranzystorów bipolarnych == Oprócz podstawowego podziału określającego kolejność warstw półprzewodnika (''pnp'' oraz ''npn'') tranzystory bipolarne można podzielić: * Ze względu na materiał, z którego są wytworzone: ** Krzemowe Linia 139 ⟶ 130: * [[model Ebersa Molla]] * [[MOSFET]] * [[~~Efekt~~efekt Early'ego]] == Bibliografia ==

Tranzystor bipolarny: Różnice pomiędzy wersjami